[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成含有隧道氧化层、浮置栅、电介质层以及控制栅的多个栅极图案；

在所述栅极图案侧墙上方形成具有复合绝缘层的复合间隔垫层；

在所述栅极图案两侧的半导体衬底中形成至少一个源/漏区；

移除所述复合间隔垫层的最外面的绝缘层；

在所述半导体衬底上方通过形成和构图层间绝缘层在所述栅极图案之间形成接触孔；以及

在所述接触孔形成接触插头。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔垫层是含有第一氧化层、氮化层以及第二氧化层的层叠(stack)。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述间隔垫层的第一氧化层由正硅酸乙酯形成，所述氮化层由氮化硅形成以及所述第二氧化层由正硅酸乙酯形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用湿法蚀刻方法移除所述最外面的绝缘层。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，包含在栅极图案和源/漏区中形成的自行对准硅化物层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述湿法蚀刻工艺中的蚀刻剂为BHF和氟化氢中的一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，每一个蚀刻工艺都包括氟化氢和水的混合比在约1∶100到1∶200范围内以及工艺时间在约100秒到140秒的范围。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在源/漏区通过所述接触孔暴露所述自行对准硅化物层。

9.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，包含：

在所述半导体上方涂覆光刻胶薄膜；

通过曝光和显影所述光刻胶薄膜在所述栅极图案之间形成浮渣(scum)；以及

在移除所述最外面的绝缘层以及形成所述层间电介质层之前移除所述浮渣。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔垫层是由所述氧化层和所述氮化层的堆叠(stack)。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，包含：

在所述含有移除氮化层的间隔垫层的半导体衬底上方沉积自行对准硅化物阻挡层；以及

在执行所述自行对准硅化物工艺的区域执行非自行对准硅化物反应性离子蚀刻，用于移除所述自行对准硅化物阻挡层，其中，在留有所述栅极图案和所述自行对准硅化物阻挡层的半导体衬底上方形成所述层间电介质层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，使用蚀刻剂移除所述间隔垫层的最外面涂覆的所述绝缘层，其中所述蚀刻剂为约80％到90％磷酸(H₃PO₄)以及约10％到20％去离子水的混合物。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述自行对准硅化物阻挡层为使用低压化学气相沉积方法沉积的具有均匀阶梯覆盖的氮化硅薄膜并形成约为100到300的厚度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成有自行对准硅化物阻挡层的所述栅极图案之间的孔隙区的宽度约为90nm到150nm。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包含：

在所述栅极上表面上方和所述源/漏区上方移除所述自行对准硅化物阻挡层；以及

使用金属层在高熔点下通过在执行所述自行对准硅化物工艺的区域沉积所述金属层来形成多个自行对准硅化物层，以及执行快速热退火工艺。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间电介质层为金属前介质并使用由磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、未掺杂的硅玻璃以及PETEOS的组成的组的其中之一形成。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包含使用所述栅极图案通过将低浓度杂质离子注入到所述半导体衬底中形成的轻掺杂漏区。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包含：

在区分含有所述栅极图案的单位单元器件的半导体衬底上方形成器件绝缘层；以及

在所述控制栅和所述源/漏区上方形成自行对准硅化物层。