[发明专利]清洗半导体器件的方法

权利要求书

1.一种方法，其特征在于，包含：

应用有机溶剂而不使用去离子水进行化学清洗所述半导体器件；

应用异丙醇进行异丙醇清洗所述半导体器件；以及

在干燥机中干燥所述半导体器件，并随后在所述半导体器件上喷射惰性气体，以同时干燥并清洗所述半导体器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干燥机为马朗戈尼干燥机。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将相对高温度的氮惰性气体注入所述干燥机。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述氮注入大约550秒至大约650秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述异丙醇清洗包括：

注入清洗，其通过将常温的异丙醇注射到所述半导体器件上，充分清洗由于温度变化而在半导体器件中吸附的有机溶剂的化学残留物；以及

浸泡清洗，其通过在异丙醇的常温下浸泡和清洗经历注入清洗的所述半导体器件。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶液为二甲基乙酰胺和二乙醇胺。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括在经历干燥的所述半导体器件上执行后灰化。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述异丙醇是在常温下注入的。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学清洗步骤清洗执行焊盘开口工艺的所述半导体器件。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学清洗步骤清洗执行晶背研磨工艺的所述半导体器件。

11.一种包括半导体器件的设备，其特征在于，所述半导体器件是通过以下步骤清洗的：

使用有机溶剂而不使用去离子水进行化学清洗所述半导体器件；

使用异丙醇进行异丙醇清洗所述半导体器件；以及

在干燥机中干燥所述半导体器件，并随后在所述半导体器件上喷射惰性气体，以同时干燥并清洗所述半导体器件。

12.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述干燥机为马朗戈尼干燥机。

13.根据权利要求12所述的设备，其特征在于，将相对高温度的氮惰性气体注入所述干燥机。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，将所述氮注入大约550秒至大约650秒。

15.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述异丙醇清洗包括：

注入清洗，其通过将常温的异丙醇注射到所述半导体器件上，充分清洗由于温度变化而在半导体器件中吸附的有机溶剂的化学残留物；以及

浸泡清洗，其通过在异丙醇的常温下浸泡和清洗经历注入清洗的半导体器件。

16.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述有机溶液为二甲基乙酰胺和二乙醇胺。

17.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述半导体器件是通过在经受所述干燥的所述半导体器件上执行后灰化而清洗的。

18.根据权利要求15所述的设备，其特征在于，所述异丙醇是在常温下注入的。

19.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述化学清洗步骤清洗执行焊盘开口工艺的所述半导体器件。

20.根据权利要求11所述的设备，其特征在于，所述化学清洗步骤清洗执行晶背研磨工艺的所述半导体器件。