[发明专利]清洗半导体器件的方法

说明书

本申请要求享有2006年12月20日提出的申请号为No.10-2006-0130567的韩国专利申请的权益，在此结合其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，更具体地说，涉及一种清洗半导体器件的方法。

背景技术

随着信息媒体技术(例如：计算机)的发展，半导体制造技术也得到了发展。在半导体器件制造技术中的发展因素包括多个方面，诸如改善的集成度、细度、运行速度和/或其他类似方面。随着一些类型的半导体器件电路集成度的提高，需要处理包含多层叠层中的多种半导体薄膜的结构中的精细图案。

在相对高度集成的半导体器件工艺中，制造工艺的数量将相对较高。在相对大量的制造工艺中，将有很多残渣和/或污染物残留在制造出的表面上。残渣和/或污染物将使半导体器件结构形状变形，并因此恶化半导体器件的电特性。半导体器件电学特性的恶化，对半导体器件的可靠性和产量具有负面影响。因此，可执行清洗工艺，以在特定半导体制造工艺后，去除残渣和/或污染物，这将防止和/或最小化在后续的半导体工艺中所产生的缺陷。

例如，在焊盘开口反应离子刻蚀(RIE)工艺或晶背研磨(backgrind)工艺后执行清洗工艺时，存在半导体器件被清洗液体(或其它材料)侵蚀的风险。因此，希望具有能在制造工艺之后彻底或基本去除残留物，同时最小化侵蚀的清洗方法。

清洗半导体器件的方法将包括以下几步：使用有机溶剂化学清洗半导体器件；使用异丙醇(IPA)进行异丙醇清洗以去除残留在半导体器件上的清洗液体(和/或其他试剂)；使用去离子水(DIW)进行去离子水清洗半导体器件；末级清洗(FR)并干燥半导体器件。

使用快排冲洗(QDR)槽，以提高清洗效率。将半导体器件移到用去离子水填充的QDR槽中，以清洗预定的一段时间。如果在将异丙醇添加到QDR槽中后，去离子水和异丙醇外部泻出，去离子水和异丙醇的混合物将根据由于去离子水和异丙醇之间凝聚力差异的马朗戈尼效应而外部泻出。因此，在将其去除后，湿气仍将残留在半导体器件表面上。同时，未在半导体器件上处理的水分子和异丙醇液体通过将N₂气体喷射到QDR槽中而泻出，干燥半导体器件。

实施例图1示出了由于清洗半导体器件的方法，在清洗工艺之后形成侵蚀的状态。在经过清洗工艺之后，将在半导体器件表面上形成侵蚀A或由侵蚀A造成的反应源。如果未将去离子水实质性或彻底的去除，其因此将潜在的与半导体器件反应，由于去离子水的干燥工艺，将在半导体器件表面形成侵蚀。

由于在清洗工艺后，形成在半导体器件表面的侵蚀A或由侵蚀A造成的反应源是观察或探测不到的，所以将产生复杂性。这种观察或探测不到的侵蚀将在随后工艺(例如：粘结工艺)中形成缺陷的起因，其将降低半导体制造工艺中的产量。

发明内容

实施方式涉及半导体器件和/或清洗半导体器件的方法。实施方式提供不用去离子水清洗半导体器件的方法，其将充分避免由于清洗半导体器件而造成的侵蚀，从而避免了缺陷的形成。

实施方式涉及一种清洗半导体器件的方法，其在半导体器件表面避免、充分避免和/或最小化侵蚀的产生，而不使用用于清洗半导体器件并去除在半导体器件制造中产生的污染物的去离子水。

实施方式涉及清洗半导体器件的方法，其包括以下步骤中的至少一个：使用有机溶剂而不使用去离子水进行化学清洗半导体器件；使用异丙醇进行异丙醇清洗半导体器件；通过将半导体器件插入干燥机并随后喷射惰性气体，以同时干燥和清洗的干燥过程。

附图说明

实施例图1为示出在清洗工艺之后所产生的侵蚀的视图；

实施例图2为示出根据实施方式清洗半导体器件方法的流程图；

实施例图3为示出了根据实施方式在清洗工艺之后半导体器件状态的视图。

具体实施方式

实施例图2为示出根据实施方式清洗半导体器件方法的流程图1。根据实施方式，清洗半导体器件的方法将不用去离子水而清洗半导体器件，所以其可维持清洗效果，同时避免在清洗工艺后半导体器件表面上的侵蚀。在实施方式中，清洗半导体器件的方法包括：化学清洗步骤(S1)、异丙醇清洗步骤(S2)、干燥步骤(S3)和后灰化步骤(S4)。

执行化学清洗步骤(S1)，以去除在执行制造工艺后附着在半导体器件的残留物。例如，根据实施方式，将执行焊盘开口反应离子刻蚀(RIE)工艺或晶背研磨工艺。在实施方式中，将使用有机溶剂清洗半导体器件。例如，有机溶剂可使用二甲基乙酰胺和二乙醇胺(ACT-CMI)溶液。