[发明专利]薄膜晶体管、包括它的有机发光器件、及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

形成于基板上的第一和第二欧姆接触；

形成于所述第一和第二欧姆接触以及所述基板上的半导体，所述半导体包含微晶硅；

形成于所述半导体上的阻挡件；

形成于所述第一欧姆接触上的输入电极；

形成于所述第二欧姆接触上的输出电极；

形成于所述阻挡件、所述输入电极、和所述输出电极上的绝缘层；以及

形成于所述绝缘层上并布置于所述半导体上的控制电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，每个所述第一和第二欧姆接触包含多晶硅。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述阻挡件包含氮化硅或氧化硅。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述输入和输出电极具有分别与所述第一和第二欧姆接触基本相同的平面形状。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，部分所述输入电极和部分所述输出电极布置在所述阻挡件上。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述半导体具有与所述阻挡件基本相同的平面形状。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述微晶硅具有小于10^-6m的晶粒直径。

8.一种有机发光器件，包括：

形成于基板上的第一和第二欧姆接触；

形成于所述第一和第二欧姆接触以及所述基板上的第一半导体，所述第一半导体包含微晶硅；

形成于所述第一半导体上的阻挡件；

形成于所述第一欧姆接触上的第一输入电极和形成于所述第二欧姆接触上的第一输出电极；

形成于所述阻挡件、所述第一输入电极、和所述第一输出电极上的第一绝缘层；

形成于所述第一绝缘层上并布置于所述第一半导体上的第一控制电极；

形成于所述第一绝缘层上并与所述第一控制电极分离的第二控制电极；

形成于所述第一和第二控制电极上的第二绝缘层；

形成于所述第二绝缘层上并布置于所述第二控制电极上的第二半导体；

形成于所述第二半导体上的第三和第四欧姆接触；

形成于所述第三欧姆接触上的第二输入电极和形成于所述第四欧姆接触上的第二输出电极；

形成于所述第二输入电极、所述第二输出电极、和所述第二半导体上的第三绝缘层；以及

连接至所述第一输出电极并形成于所述第三绝缘层上的有机发光元件。

9.根据权利要求8所述的器件，其中，每个所述第一和第二欧姆接触包含多晶硅。

10.根据权利要求8所述的器件，其中，所述阻挡件包含氮化硅或氧化硅。

11.根据权利要求8所述的器件，其中，所述第一输入和输出电极具有分别与所述第一和第二欧姆接触基本相同的平面形状。

12.根据权利要求8所述的器件，其中，部分所述第一输入电极和部分所述第一输出电极布置于所述阻挡件上。

13.权利要求8所述的器件，其中，所述第二半导体包含非晶硅。

14.一种有机发光器件，包括：

形成于基板上并且彼此分离的第一、第二、第三和第四欧姆接触；

形成于所述第一和第二欧姆接触上的第一半导体；

形成于所述第三和第四欧姆接触上的第二半导体；

形成于所述第一半导体上的第一阻挡件；

形成于所述第二半导体上的第二阻挡件；

形成于所述第一欧姆接触上的第一输入电极和形成于所述第二欧姆接触上的第一输出电极；

形成于所述第三欧姆接触上的第二输入电极和形成于所述第四欧姆接触上的第二输出电极；

形成于所述第一和第二输入电极以及所述第一和第二输出电极上的绝缘层；

形成于所述绝缘层上并分别搭接所述第一和第二半导体的第一和第二控制电极。

15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述第一和第二阻挡件包含氮化硅或氧化硅。