[发明专利]薄膜晶体管、包括它的有机发光器件、及其制造方法

说明书

相关申请交叉参考

本申请要求2007年2月21日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请NO.10-2007-0017402的优先权，其全部公开内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的有机发光器件、以及其制造方法。

背景技术

平板显示器因其重量轻以及薄的特性而用于电子装置(诸如电视和笔记本电脑)中。

存在不同类型的平板显示器，诸如液晶显示器(LCD)、场致发射显示器(FED)、有机发光器件(OLED)、等离子体显示器(PDP)、等等。

在这些平板显示器中，OLED由于其低能耗、快速响应时间、以及宽视角而具有广阔的前景。

OLED是通过电力地激发发光有机材料而显示图像的自发射显示器件。

通常，OLED可包括多个像素，用于通过基于预定显示信息控制像素的亮度来显示图像。

OLED中的每个像素包括有机发光元件、用于驱动有机发光元件的驱动晶体管、以及用于向驱动晶体管传输数据电压的开关晶体管。驱动晶体管和开关晶体管为薄膜晶体管。可根据用于形成晶体管有源层的材料将薄膜晶体管划分为多晶硅薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。

由于在低温下可制造出非晶硅薄膜，因此非晶硅薄膜晶体管被用在利用低熔点玻璃的显示器中。然而，非晶硅薄膜具有低的载体迁移率，因此不太适合应用于显示面板的高质量驱动电路中。此外，非晶硅薄膜晶体管的阈电压随着时间的过去可能容易改变。

由于多晶硅薄膜晶体管具有良好的电场效应迁移性并且可进行高频操作，因此高质量驱动电路使用多晶硅薄膜晶体管。然而，因为多晶硅薄膜晶体管具有大的断电流，所以易产生垂直串扰。

通常，当形成多晶硅薄膜晶体管时，将多晶硅层布置在最下层，并在其上形成欧姆接触层和电极层。其后，顺次形成栅绝缘层和栅电极。

然而，在该过程中，杂质可渗透进多晶硅层的表面中并损害多晶硅层的表面。为了除去杂质，可蚀刻多晶硅层表面的上部分。然后，由于多晶硅层必须够厚以适应蚀刻，所以蚀刻完成后可能会使其表面变得不均匀。

因此，需要防止杂质渗透进薄膜晶体管的硅层的表面。

发明内容

提供一种薄膜晶体管，其包括：形成于基板上的第一和第二欧姆接触；形成于第一和第二欧姆接触以及基板上的半导体，所述半导体包含微晶硅；形成于半导体上的阻挡件；形成于第一欧姆接触上的输入电极；形成于第二欧姆接触上的输出电极；形成于阻挡件、输入电极、以及输出电极上的绝缘层；以及形成于绝缘层上并布置于半导体上的控制电极。

第一和第二欧姆接触可包含多晶硅。

阻挡件可包含氮化硅或氧化硅。

输入电极和输出电极可分别具有与第一和第二欧姆接触基本相同的平面形状。

部分输入和输出电极可布置于阻挡件上。

半导体可具有与阻挡构件基本相同的平面形状。

微晶硅可具有小于10^-6m的晶粒直径。

提供一种有机发光器件，其包括形成于基板上的第一和第二欧姆接触；形成于第一和第二欧姆接触以及基板上的第一半导体，第一半导体包含微晶硅；形成于第一半导体上的阻挡件；分别形成于第一和第二欧姆接触上的第一输入电极和第一输出电极；形成于阻挡件、第一输入电极、和第一输出电极上的第一绝缘层；形成于第一绝缘层上并布置于第一半导体上的第一控制电极；形成于第一绝缘层上并与第一控制电极分离的第二控制电极；形成于第一和第二控制电极上的第二绝缘层；形成于第二绝缘层上并布置于第二控制电极上的第二半导体；形成于第二半导体上的第三和第四欧姆接触；分别形成于第三和第四欧姆接触上的第二输入电极和第二输出电极；形成于第二输入电极、第二输出电极、和第二半导体上的第三绝缘层；以及连接至第一输出电极并形成于第三绝缘层上的有机发光元件。

第一和第二欧姆接触可包含多晶硅。

阻挡件可包含氮化硅或氧化硅。

第一输入和输出电极可分别具有与第一和第二欧姆接触基本相同的平面形状。

部分第一输入和输出电极可布置于阻挡件上。

第二半导体可包含非晶硅。