[发明专利]堆叠式半导体元件

权利要求书

1.一种用于形成半导体元件的方法，所述方法包括：

使用第一工艺技术形成第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括具有有源电路的上表面和与所述上表面相对的下表面；

在所述第一半导体芯片中形成多个通孔；

使所述第一半导体芯片变薄，以使至少在所述变薄之后，每个通孔都从所述上表面延伸至所述下表面；

使用第二工艺技术形成第二半导体芯片，所述第二工艺技术不同于所述第一工艺技术，所述第二半导体芯片在一个表面上具有多个触点；以及

邻近于所述第二半导体芯片安装所述第一半导体芯片，以使所述多个通孔中的一些通孔电连接至所述多个触点中相关联的一些触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一工艺技术形成第一半导体芯片包括形成具有高电压器件的半导体芯片；以及其中，使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括形成具有低电压器件的半导体芯片。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二半导体芯片包括非易失性存储单元的阵列，以及其中，所述第一半导体芯片包括用于处理所述非易失性存储单元的所述阵列中的所述存储单元的电路。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述非易失性存储单元包括浮动栅闪存单元。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述非易失性存储单元包括电荷捕获存储单元。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一工艺技术形成第一半导体芯片包括形成带有模拟电路的半导体芯片，以及其中，使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括形成带有数字电路的半导体芯片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一工艺技术形成第一半导体芯片包括使用双极工艺形成半导体芯片，以及其中，使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括使用CMOS工艺形成半导体芯片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第二工艺技术形成第二半导体芯片包括形成存储单元的阵列，以及其中，使用第一工艺技术形成第一半导体芯片包括形成经由所述多个通孔连接至所述存储单元的阵列的外围电路，所述外围电路可操作地从所述阵列的寻址区存取信息。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述存储单元的阵列包括动态随机存取存储单元的阵列。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二半导体芯片包括多个晶体管，所述多个晶体管中的每一个都包括NMOS晶体管。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，第二半导体芯片的所述多个触点包括通孔。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

使所述第二半导体芯片变薄，以使每个通孔都从所述表面延伸至相对面。

13.一种存储装置，包括：

第一半导体芯片，包括非易失性存储单元的阵列，通过向所述阵列施加第一电压来读取所述阵列，以及通过向所述阵列施加第二电压来对所述阵列进行写入，所述第二电压高于所述第一电压；以及

第二半导体芯片，具有用于接收所述第一电压的外部输入节点，所述第二半导体芯片具有可操作地由所述第一电压产生所述第二电压的电路；

其中，堆叠所述第一半导体和所述第二半导体，以经由至少一个通孔将所述第二电压从所述第二半导体芯片提供至所述第一半导体芯片，所述至少一个通孔位于所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片中一个半导体芯片的内部，并从所述一个半导体芯片的上表面延伸至相对的下表面。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述非易失性存储单元的阵列包括闪存单元的阵列。

15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述非易失性存储单元的阵列包括浮动栅存储单元的阵列。

16.根据权利要求13所述的装置，其中，所述第一半导体芯片包括具有第一最小尺寸的多个晶体管，以及所述第二半导体芯片包括具有第二最小尺寸的多个晶体管，所述第二最小尺寸大于所述第一最小尺寸。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述第二最小尺寸大于所述第一最小尺寸的两倍。