[发明专利]薄型发光二极管装置的封装方法有效
申请号: | 200710302271.2 | 申请日: | 2007-12-24 |
公开(公告)号: | CN101471407A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 邹文杰 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L21/50 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;祁建国 |
地址: | 台湾省台北县土*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 封装 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种发光二极管装置的封装方法,特别是一种薄型发光二 极管装置的封装方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode;LED)一般是作为指示灯、显示板。 但随着技术发展,已经能作为光源使用,它不但能够高效率地直接将电能转化 为光能,而且拥有最长达数万小时至十万小时的使用寿命,并能省电,同时拥 有体积小、无汞、可应用在低温环境、光源具方向性及色域丰富等优点。
发光二极管现阶段最大的应用是手机按键的背光源,各种电子展品的指示 灯,而最近应用在广告看板的大型屏幕,还有应用在液晶屏幕的背光源也越来 越受到瞩目,发光二极管的应用面日趋广泛。随着时代进步,产品呈现越来越 薄型化的设计,因此降低发光二极管装置的厚度成为发展重点。
然而,现有的压模工具的结构上的限制,使得在发光二极管装置中,发光 二极管晶粒上封装胶料的厚度变厚。
因此,基于上述原因,需要一种新的薄型发光二极管装置的封装方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种薄型发光二极管装置的封装方 法,使得发光二极管晶粒上封装胶料的厚度降低,同时通过第一金属层采用铜 与银且第三金属层采用银,可大幅降低基板的厚度。
为了实现上述目的,本发明提供一种薄型发光二极管装置的封装方法,包 含下列步骤。首先,提供一基板,其中此基板包含一第一金属层、一第二金属 层及一胶层,而该胶层位于该第一金属层上,且该第二金属层位于该胶层上。 接着,在第二金属层及此胶层形成一凹槽,在第二金属层上及该凹槽内形成一 第三金属层。在此凹槽底部形成一穿透线并穿透该第三金属层及该第一金属 层。利用覆晶方式将此发光二极管晶粒与此凹槽底部接合。贴附一胶膜于第一 金属层的下表面。置入此基板于一成形模中,其中该成形模包含一上模与一下 模,该上模上覆于胶层上的该第三金属层的上表面,且该上模具有一凸部对应 于该凹槽上方而构成一模穴,该下模下伏于该基板。填入一封装胶料至该模穴 中。移除该成形模。移除该胶膜。以及,执行切割制程沿位于所述凹槽内进行 切割,以将所述凹槽外较厚的部份移除,以形成该薄型发光二极管装置。
具体地说,本发明提供一种薄型发光二极管装置的封装方法,其特点在于, 包含:提供一基板,所述基板包含一第一金属层、一第二金属层及一胶层,而 所述胶层位于所述第一金属层上,且所述第二金属层位于所述胶层上;形成一 凹槽于所述第二金属层及所述胶层;形成一第三金属层于所述第二金属层上及 所述凹槽内;形成一穿透线于所述凹槽底部并穿透所述第三金属层及所述第一 金属层;利用覆晶方式将所述发光二极管晶粒与所述凹槽底部接合;贴附一胶 膜于所述第一金属层的下表面;置入所述基板于一成形模中,其中所述成形模 包含一上模与一下模,所述上模上覆于所述胶层上的所述第三金属层的上表 面,且所述上模具有一凸部对应于所述凹槽而构成一模穴,所述下模下伏于所 述基板;填入一封装胶料至所述模穴中;移除所述成形模;移除所述胶膜;以 及执行切割步骤以形成所述薄型发光二极管装置。
上述方法,其特点在于,还包含:形成多个穿孔于所述凹槽底部并穿透所 述第三金属层及所述第一金属层。
上述方法,其特点在于,所述第一金属层包含:一铜层;以及一银层,其 中所述银层位于所述铜层上。
上述方法,其特点在于,所述第二金属层包含铜。
上述方法,其特点在于,所述第三金属层包含银。
上述方法,其特点在于,所述胶层包含BT树脂。
上述方法,其特点在于,所述胶膜包含聚酰亚胺。
上述方法,其特点在于,所述封装胶料包含环氧树脂。
本发明的功效是,在进行压模时,由于上模具有凸部,使得发光二极管晶 粒上封装胶料的厚度降低,并且,第一金属层采用铜与银且第三金属层采用银, 可大幅降低基板的厚度。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的 限定。
附图说明
图1-4A为本发明一实施例的一种基板的制造方法的流程图;
图4B为图4A中凹槽底部的俯视图;
图5-10A为本发明一实施例的一种发光二极管的封装方法的流程图;
图10B为本发明一实施例的薄型发光二极管装置的立体透视图。
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