[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效
申请号: | 200710305124.0 | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101257028A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 金英一;柳春基;金奉柱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1. 一种薄膜晶体管基板,包括:
绝缘基板,包括显示区域和非显示区域;
栅金属图形,包括形成在该显示区域中该绝缘基板上的第一栅电极;
栅绝缘层,形成在该栅金属图形上;
第一半导体图形,形成在该栅绝缘层上与该第一栅电极交叠;
数据金属图形,包括连接到该第一半导体图形的两端的第一源电极和第一漏电极;
透明导电图形,连接到该第一漏电极并形成在该栅绝缘层上;和
保护层,形成在该第一半导体图形和该数据金属图形上。
2. 如权利要求1的薄膜晶体管基板,还包括第二半导体图形,
其中该栅金属图形包括对应于该非显示区域形成在该绝缘层上的第二栅电极和栅信号线,
其中该第二半导体图形形成在该栅绝缘层上与该第二栅电极交叠,和
其中该数据金属图形包括连接到该第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
3. 如权利要求2的薄膜晶体管基板,其中该栅绝缘层包括第一接触孔,该第一接触孔暴露出该栅信号线并形成在该第二半导体图形上,且其中该第二源电极通过该第一接触孔连接到该栅信号线。
4. 如权利要求3的薄膜晶体管基板,其中该栅金属图形包括该非显示区域中连接到该栅信号线的栅焊垫部分。
5. 如权利要求4的薄膜晶体管基板,其中该栅绝缘层包括暴露出该栅焊垫部分的第二接触孔。
6. 如权利要求5的薄膜晶体管基板,其中该透明导电图形通过该第二接触孔连接到该栅焊垫部分并包括形成在该栅绝缘层上的第一透明电极。
7. 如权利要求3的薄膜晶体管基板,其中该数据金属图形形成在该非显示区域中并包括连接到该第一源电极的数据焊垫部分。
8. 如权利要求7的薄膜晶体管基板,其中该透明导电图形连接到该数据焊垫部分并包括形成在该栅绝缘层上的第二透明电极。
9. 一种薄膜晶体管基板的制造方法,该方法包括:
形成包括于显示区域中绝缘层上形成的第一栅电极的栅金属图形;
在该栅金属图形上形成栅绝缘层;
在该栅绝缘层上形成与该第一栅电极交叠的第一半导体图形;
形成包括连接到该第一半导体图形的两端的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形;
在该栅绝缘层上形成包括连接到该第一漏电极的像素电极的透明导电图形;和
在该第一半导体图形和该数据金属图形上形成保护层。
10. 如权利要求9的方法,其中形成该栅金属图形的步骤包括对应于非显示区域在该绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线,其中形成该半导体图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成与该第二栅电极交叠的第二半导体图形,和其中形成该数据金属图形的步骤包括形成连接到该第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。
11. 如权利要求10的方法,其中形成该半导体图形的步骤包括形成暴露出该栅信号线的第一接触孔。
12. 如权利要求11的方法,其中形成该数据金属图形的步骤包括通过该第一接触孔将该栅信号线连接到该第二源电极。
13. 如权利要求12的方法,其中形成该半导体图形的步骤包括形成暴露出该栅焊垫部分的第二接触孔。
14. 如权利要求13的方法,其中形成该透明导电图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成通过该第二接触孔连接到该栅焊垫部分的第一透明导电电极。
15. 如权利要求14的方法,其中形成该数据金属图形的步骤包括形成连接到该第一源电极的数据焊垫部分。
16. 如权利要求15的方法,其中形成该透明导电图形的步骤包括在该栅绝缘层上形成连接到该数据焊垫部分的第二透明电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的