[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，且尤其涉及一种LCD装置的薄膜晶体管(“TFT”)基板以及该TFT基板的制造方法，其能够简化制造工艺并能够防止栅驱动器被侵蚀。

背景技术

通常，LCD装置包括具有多条栅线和多条数据线的显示面板、将栅信号提供给多条栅线的栅驱动器以及将数据信号提供给多条数据线的数据驱动器。

栅驱动器和数据驱动器以芯片的形式安装于显示面板上。目前，已经开发了一种建立在显示面板中的栅驱动器，以降低显示装置的尺寸并提高生产量。栅驱动器包括第一保护层，以覆盖安装于栅驱动器上的TFT。透明电极沿着第一保护层形成。这种情况下，透明电极形成于栅驱动器的顶部上，以便电连接到显示装置。然而，由于透明电极暴露到显示装置的外部，所以当在高温和高湿度下长时间驱动显示装置时栅驱动器可被侵蚀。

像素电极通过在第一保护层中形成的接触孔电连接到漏电极。像素电极和第一保护层通过多个掩模工艺形成。形成像素电极和第一保护层的掩模工艺可包括一系列的工艺，如薄膜沉积工艺、清洗工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、光刻胶剥离工艺以及检查工艺。由于这些掩模工艺是必须的，因此显示装置具有复杂的制造工艺，从而导致制造成本的明显增加。而且，由于像素电极通过接触孔连接到漏电极，因此在两个电极之间的接触面积变小，并由此增加了电阻。因此，负载功耗可能增加。

发明内容

本发明的示范性实施例提供了一种TFT基板及其制造方法，其能够简化制造工艺并防止栅驱动器被侵蚀。

本发明的示范性实施例提供了一种薄膜晶体管基板，其包括：具有显示区域和非显示区域的绝缘基板，包括形成在显示区域中绝缘基板上的第一栅电极的栅金属图形，形成在栅金属图形上的栅绝缘层，形成在栅绝缘层上与第一栅电极交叠的第一半导体图形，包括连接到第一半导体图形两个端部的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，连接到第一漏电极并形成在栅绝缘层上的透明导电图形，和形成在第一半导体图形和数据金属图形上的保护层。

该薄膜晶体管基板还包括第二半导体图形，其中栅金属图形包括形成在绝缘层上与非显示区域对应的第二栅电极和栅信号线，其中第二半导体图形形成在栅绝缘层上与第二栅电极交叠，且其中数据金属图形包括连接到第二半导体图形的两侧的第二源电极和第二漏电极。

栅绝缘层包括暴露出栅信号线并形成在第二半导体图形上的第一接触孔，且其中第二源电极通过第一接触孔连接到栅信号线。

栅金属图形包括非显示区域中连接到栅信号线的栅焊垫部分。

栅绝缘层包括暴露出栅焊垫部分的第二接触孔。

透明导电图形通过第二接触孔连接到栅焊垫部分并包括形成在栅绝缘层上的第一透明电极。

数据金属图形形成在非显示区域中并包括连接到第一源电极的数据焊垫部分。

透明导电图形连接到数据焊垫部分并包括形成在栅绝缘层上的第二透明电极。

本发明的示范性实施例提供一种薄膜晶体管基板的制造方法。该薄膜晶体管基板的制造方法包括：形成包括在显示区域中于绝缘层上形成的第一栅电极的栅金属图形，在栅金属图形上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成与第一栅电极交叠的第一半导体图形，形成包括连接到第一半导体图形两端部的第一源电极和第一漏电极的数据金属图形，在栅绝缘层上形成包括连接到第一漏电极的像素电极的透明导电图形，和在第一半导体图形和数据金属图形上形成保护层。

形成栅金属图形的步骤包括对应于非显示区域在绝缘基板上形成第二栅电极和栅信号线，其中形成半导体图形的步骤包括在栅绝缘层上形成与第二栅电极交叠的第二半导体图形，且其中形成数据金属图形的步骤包括形成连接到第二半导体图形两侧的第二源电极和第二漏电极。

形成半导体图形的步骤包括形成暴露出栅信号线的第一接触孔。

形成数据金属图形的步骤包括通过第一接触孔将栅信号线连接到第二源电极。

形成半导体图形的步骤包括形成暴露出栅焊垫部分的第二接触孔。

形成透明导电图形的步骤包括在栅绝缘层上形成通过第二接触孔连接到栅焊垫部分的第一透明导电电极。

形成数据金属图形的步骤包括形成连接到第一源电极的数据焊垫部分。

形成透明导电图形的步骤包括在栅绝缘层上形成连接到数据焊垫部分的第二透明电极。