[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，包括：

提供基板；

形成第一导电层于该基板上；

提供第一遮罩于该第一导电层上方，且该第一遮罩暴露出部分的该第一导电层；

使用激光经过该第一遮罩照射该第一导电层，以移除该第一遮罩所暴露的部分该第一导电层，而形成栅极；

形成栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该栅极；

同时形成沟道层、源极以及漏极于该栅极上方的该栅极绝缘层上，其中该源极与该漏极配置于该沟道层的部分区域，且该栅极、该沟道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管；

形成图案化保护层于该薄膜晶体管之上，该图案化保护层暴露出部分该漏极；以及

形成像素电极，电性连接于该漏极。

2.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中同时形成该沟道层、该源极以及该漏极的方法包括：

形成半导体层于该栅极绝缘层上；

形成第二导电层于该半导体层上；

形成光致抗蚀剂层于该栅极上方的该第二导电层上，其中该光致抗蚀剂层可分为第一光致抗蚀剂区块与位于该第一区块两侧的第二光致抗蚀剂区块，且该第一光致抗蚀剂区块的厚度小于该第二光致抗蚀剂区块的厚度；

以该光致抗蚀剂层为掩模对该第二导电层与该半导体层进行第一蚀刻工艺；

减少该光致抗蚀剂层的厚度，直到该第一光致抗蚀剂区块被完全移除；以及

以剩余的该第二光致抗蚀剂区块为掩模对该第二导电层进行第二蚀刻工艺，以使剩余的该第二导电层构成该源极以及该漏极，而该剩余的半导体层构成该沟道层。

3.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中减少该光致抗蚀剂层厚度的方法包括进行灰化工艺。

4.如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其中形成该图案化保护层的方法包括：

形成保护层于该栅极绝缘层以及剩余的该第二光致抗蚀剂区块上；以及

移除剩余的该第二光致抗蚀剂区块，以使该第二光致抗蚀剂区块上的该保护层一并被移除。

5.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该图案化保护层的方法包括：

形成光致抗蚀剂层于部分该漏极上；

形成保护层，以覆盖该栅极绝缘层、该薄膜晶体管以及该光致抗蚀剂层；以及

移除该光致抗蚀剂层，以使该光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除。

6.如权利要求5所述的像素结构的制作方法，其中移除该光致抗蚀剂层的方法包括掀离工艺。

7.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该图案化保护层的方法包括：

形成保护层于该栅极绝缘层与该薄膜晶体管上；以及

图案化该保护层。

8.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该图案化保护层的方法包括：

形成保护层于该栅极绝缘层与该薄膜晶体管上；

提供第二遮罩于该保护层上方，且该第二遮罩暴露出部分的该保护层；以及

使用激光经过该第二遮罩照射该保护层，以移除该第二遮罩所暴露的部分该保护层。

9.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该沟道层、该源极以及该漏极的方法还包括：

在形成该半导体层之后，形成欧姆接触层于该半导体层表面：以及

经过该第一蚀刻工艺与该第二蚀刻工艺，移除对应于该第二光致抗蚀剂区块之外的该欧姆接触层。

10.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该像素电极的方法包括：

形成电极材料层于该图案化保护层以及该漏极上；以及

图案化该电极材料层。

11.如权利要求10所述的像素结构的制作方法，其中形成该电极材料层的方法包括通过溅镀形成铟锡氧化物层或铟锌氧化物层。

12.如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其中形成该像素电极的方法包括：

形成电极材料层于该图案化保护层以及该漏极上；

提供第三遮罩于该导电层上方，且该第三遮罩暴露出部分的该电极材料层；以及

使用激光经过该第三遮罩照射该电极材料层，以移除该第三遮罩所暴露的部分该电极材料层。