[发明专利]像素结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构的制作方法，且特别涉及一种使用激光剥离工艺(laser ablation process)来制作保护层的像素结构的制作方法。

背景技术

显示器为人与信息的沟通界面，目前以平面显示器为主要发展的趋势。平面显示器主要有以下几种：有机电激发光显示器(organicelectroluminescence display)、等离子体显示器(plasma display panel)以及薄膜晶体管液晶显示器等(thin film transistor liquid crystal display)。其中，又以薄膜晶体管液晶显示器的应用最为广泛。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器主要由薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光阵列基板(color filter substrate)和液晶层(liquid crystal layer)所构成。其中，薄膜晶体管阵列基板包括多条扫描线(scan lines)、多条数据线(data lines)以及多个阵列排列的像素结构(pixel unit)，且各个像素结构分别与对应的扫描线及数据线电性连接。

图1A～图1G为公知像素结构的制造流程图。首先，请参照图1A，提供基板10，并通过第一道光掩模工艺于基板10上形成栅极20。接着，请参照图1B，在基板10上形成栅极绝缘层30以覆盖住栅极20。然后，请参照图1C，通过第二道光掩模工艺于栅极绝缘层30上形成位于栅极20上方的沟道层40。一般而言，沟道层40的材质为非晶硅(amorphous silicon)。之后，请参照图1D，通过第三道光掩模工艺于沟道层40的部分区域以及栅极绝缘层30的部分区域上形成源极50以及漏极60。由图1D可知，源极50与漏极60分别由沟道层40的两侧延伸至栅极绝缘层30上，并将沟道层40的部分区域暴露。接着，请参照图1E，于基板10上形成保护层70以覆盖栅极绝缘层30、沟道层40、源极50以及漏极60。然后，请参照图1F，通过第四道光掩模工艺将保护层70图案化，以于保护层70中形成接触孔H。由图1F可知，保护层70中的接触孔H会将漏极60的部分区暴露。之后，请参照图1G，通过第五道光掩模工艺于保护层70上形成像素电极80，由图1G可知，像素电极80会透过接触孔H与漏极60电性连接。在像素电极80制作完成之后，便完成了像素结构90的制作。

承上述，公知的像素结构90主要是通过五道光掩模工艺来进行制作，换言之，像素结构90需采用五个具有不同图案的光掩模(mask)来进行制作。由于光掩模的造价十分昂贵，且每道光掩模工艺均须使用到具有不同图案的光掩模，因此，若无法缩减光掩模工艺的数目，像素结构90的制造成本将无法降低。

此外，随着薄膜晶体管液晶显示面板的尺寸日益增加，用来制作薄膜晶体管阵列基板的光掩模尺寸也会随之增加，而大尺寸的光掩模在造价上将更为昂贵，使得像素结构90的制造成本无法有效地降低。

发明内容

本发明涉及一种像素结构的制作方法，其适于降低制作成本。

为具体描述本发明的内容，在此提出一种像素结构的制作方法，其先提供基板，并形成第一导电层于基板上，接着提供第一遮罩于第一导电层上方，且第一遮罩暴露出部分的第一导电层。使用激光经过第一遮罩照射第一导电层，以移除第一遮罩所暴露的部分第一导电层，而形成栅极。之后，形成栅极绝缘层于基板上，以覆盖栅极。接着，同时形成沟道层、源极以及漏极于栅极上方的栅极绝缘层上，其中源极与漏极配置于沟道层的部分区域，且栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。然后，形成图案化保护层于薄膜晶体管之上，图案化保护层暴露出部分漏极。接着，形成电性连接漏极的像素电极。