[发明专利]具有有利于不同导电率类型区域的栅的浮体存储单元

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

半导体翼片；

在所述翼片的一侧设置的第一栅结构；

在所述翼片的对侧设置的第二栅结构；以及

所述第一或第二结构其中之一比所述栅结构中的另一个栅结构具有用于使电荷保持在所述翼片中的更有利特性。

2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一和第二栅结构其中之一包括具有与所述另一个栅结构中的栅不同的功函数的栅。

3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述第一和第二栅结构其中之一具有与所述另一个栅结构不同的栅介质厚度。

4.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于，所述翼片包括n型源和漏区，所述第一栅结构具有比所述第二栅结构更薄的栅氧化物，以及所述第二栅结构包括具有有利于p型器件的功函数的栅。

5.如权利要求4所述的存储器件，其特征在于，从块硅衬底形成所述翼片。

6.如权利要求5所述的存储器件，其特征在于，所述翼片掺杂p型掺杂剂。

7.一种存储器，包括：

多个第一和第二平行的间隔开的翼片，在相邻翼片上相互面对的侧表面所限定的所述翼片之间具有交替的第一和第二区域；

在翼片的交替第一区域上设置的第一栅结构；

在翼片的交替第二区域上设置的第二栅结构；

其中，所述第二栅结构具有与所述第一栅结构不同的栅氧化物厚度和不同的栅材料其中至少一项。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述翼片包括n型源和漏区，以及所述第二栅结构的氧化物厚度比所述第一栅结构更厚。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，第二栅结构的所述栅材料由具有范围大约为4.6至5.2eV的功函数的金属来形成。

10.如权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述翼片与块硅衬底结合在一起。

11.一种存储器，包括：

具有底部区域和上部区域的半导体翼片；

与所述翼片绝缘的第一栅，包括围绕所述翼片的底部区域的层；以及

在所述翼片的上部区域中形成的晶体管。

12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述层包括多晶硅。

13.如权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述多晶硅包括p型掺杂剂。

14.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述晶体管包括三栅晶体管。

15.如权利要求14所述的存储器，其特征在于，所述三栅晶体管具有高k介质绝缘以及功函数大约在4.6至5.2eV之间的金属栅。

16.如权利要求15所述的存储器，其特征在于，所述翼片与块硅衬底结合在一起。

17.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述第一栅通过比用于所述晶体管的栅绝缘体的氧化物更厚的氧化物来绝缘。

18.一种方法，包括：

形成多个间隔开的平行半导体翼片，在所述翼片之间具有第一交替和第二交替区域；

形成在第一交替区域中相互面对的两个第一翼片表面上延伸的第一厚度的第一连续栅绝缘；

形成在第二交替区域中相互面对的两个第二翼片表面上延伸的第二厚度的第二连续栅绝缘；以及

其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在所述第一栅绝缘上形成第一栅材料，以及在所述第二栅绝缘上形成第二栅材料。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一栅材料有利于p沟道器件，以及所述第二栅材料有利于n沟道器件。

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述第一栅材料具有大约在4.6至5.2eV之间的功函数，以及所述第二栅材料具有大约在3.9至4.6eV之间的功函数。

22.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在衬底的存储器部分形成所述第一栅绝缘和第二栅绝缘，以及在所述衬底的逻辑部分形成所述第二栅绝缘，以用于n沟道和p沟道晶体管。