[发明专利]多芯片堆叠结构及其制法无效

专利信息
申请号: 200710305883.7 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101236962A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 刘正仁;张锦煌;张翊峰;黄荣彬;黄致明 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 戈泊
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 堆叠 结构 及其 制法
【权利要求书】:

1、一种多芯片堆叠结构的制法,包括:

提供一芯片承载件及多个芯片,所述芯片表面边缘设有多个焊垫,以将所述芯片朝偏离下方芯片焊垫方向而以阶梯状方式堆叠于该芯片承载件上,且外露出该焊垫,以构成第一芯片组;

利用多条第一焊线电性连接该第一芯片组的多个芯片焊垫与该芯片承载件;

复将另一芯片朝偏向该第一芯片组设置第一焊线方向通过一黏着层而接置于该第一芯片组上,其中该黏着层中设有多个填充料(filler)以支撑该芯片,再以阶梯状方式堆叠其余芯片,且外露出该焊垫,以构成第二芯片组;以及

利用多条第二焊线电性连接该第二芯片组的多个芯片焊垫与芯片承载件。

2、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第二芯片组的投影面积未超过于该第一芯片组的投影面积。

3、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,复包括于该芯片承载件上形成包覆该第一、第二芯片组与第一、第二焊线的封装胶体。

4、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二芯片组各具有多个芯片,且该第二芯片组的多个芯片的向下投影位置分别对应于该第一芯片组的多个芯片位置。

5、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,复包括于该第二芯片组上持续堆叠芯片组。

6、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一芯片组最顶层的芯片是通过反向焊接方式电性连接至该芯片承载件。

7、根据权利要求1所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二芯片组选择利用一般打线方式及反向焊接方式的其中一者,而电性连接至该芯片承载件。

8、一种多芯片堆叠结构的制法,包括:

提供一芯片承载件及多个芯片,所述芯片表面边缘设有多个焊垫,以将所述芯片朝偏离下方芯片焊垫方向而以阶梯状方式堆叠于该芯片承载件上,且外露出该焊垫,以构成第一芯片组;

利用多条第一焊线电性连接该第一芯片组的多个芯片焊垫与该芯片承载件;

复将另一芯片朝偏向该第一芯片组设置第一焊线方向通过一黏着胶膜而接置于该第一芯片组上,且使该黏着胶膜包覆位于该芯片与第一芯片组最顶层芯片间的第一焊线部分,再以阶梯状堆叠其余芯片且外露出该焊垫,以构成第二芯片组;以及

利用多条第二焊线电性连接该第二芯片组的多个芯片焊垫与芯片承载件。

9、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第二芯片组的投影面积未超过于该第一芯片组的投影面积。

10、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,复包括于该芯片承载件上形成包覆该第一、第二芯片组与第一、第二焊线的封装胶体。

11、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二芯片组各具有多个芯片,且该第二芯片组的多个芯片的向下投影位置分别对应于该第一芯片组的多个芯片位置。

12、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,复包括于该第二芯片组上持续堆叠芯片组。

13、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一芯片组最顶层的芯片,是通过反向焊接方式电性连接至该芯片承载件。

14、根据权利要求8所述的多芯片堆叠结构的制法,其中,该第一及第二芯片组选择利用一般打线方式及反向焊接方式的其中一者,而电性连接至该芯片承载件。

15、一种多芯片堆叠结构,其包含:

芯片承载件;

包含有多个芯片的第一芯片组,所述芯片表面边缘设有多个焊垫并以阶梯状方式堆叠于该芯片承载件上,且外露出该焊垫;

多条第一焊线,供电性连接该第一芯片组的多个芯片焊垫及芯片承载件;

包含有多个芯片的第二芯片组,所述芯片表面边缘设有多个焊垫并以阶梯状方式堆叠于该第一芯片组上,且外露出该焊垫,其中该第二芯片组的最底层芯片间隔一黏着层以偏向该第一芯片组设置第一焊线的方向,而接置于该第一芯片组最顶层芯片上,该黏着层中设有多个填充料以支撑该第二芯片组最底层芯片;以及

多条第二焊线,供电性连接该第二芯片组的多个芯片焊垫与芯片承载件。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽品精密工业股份有限公司,未经矽品精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710305883.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top