[发明专利]用于半导体封装的印刷电路板的制造方法有效
| 申请号： | 200710306090.7 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101290888A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李亮制;金宏植;安东基;韩美贞;许卿进;林营奎 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 印刷 电路板 制造 方法 | ||
1. 一种制造用于半导体封装的印刷电路板的方法，所述方法包 括：
(a)准备用于封装的印刷电路板，所述印刷电路板包括 引线接合焊盘与表面安装器件安装焊盘，并具有预定的电路图 案；
(b)在所述印刷电路板的除所述引线接合焊盘与所述表 面安装器件安装焊盘之外的部分上形成阻焊剂层；
(c)通过化学镀镍与化学镀金工艺，在所述引线接合焊 盘与所述表面安装器件安装焊盘的每一个上形成由化学镀镍 层与化学镀金层构成的化学镀镍浸金层；以及
(d)通过电镀金工艺，在所述表面安装器件安装焊盘中 的与覆镀导线连接的表面安装器件安装焊盘的所述化学镀镍 浸金层上以及在每个所述引线接合焊盘的所述化学镀镍浸金 层上形成电镀金层。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学镀镍浸金层的化 学镀金层的厚度在0.01μm至0.1μm的范围内变化。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学镀镍浸金层的化 学镀镍层的厚度在0.3μm至15μm的范围内变化。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述电镀金层的厚度在 0.1μm至1.0μm的范围内变化。
5. 一种制造用于半导体封装的印刷电路板的方法，所述方法包 括：
(a)准备用于封装的印刷电路板，所述印刷电路板包括 引线接合焊盘、表面安装器件安装焊盘及ZIF连接器焊盘，并 具有预定的电路图案；
(b)在所述印刷电路板的除所述引线接合焊盘、所述表 面安装器件安装焊盘以及所述ZIF连接器焊盘之外的部分上 形成阻焊剂层；
(c)在所述印刷电路板的除所述引线接合焊盘与所述表 面安装器件安装焊盘之外的部分上施加抗镀剂；
(d)通过化学镀镍与化学镀金工艺，在所述引线接合焊 盘与所述表面安装器件安装焊盘的每一个上形成由化学镀镍 层与化学镀金层构成的化学镀镍浸金层；
(e)去除所述抗镀剂；以及
(f)通过电镀金工艺，在所述表面安装器件安装焊盘中 的与覆镀导线连接的表面安装器件安装焊盘的所述化学镀镍 浸金层上、在每个所述引线接合焊盘的所述化学镀镍浸金层上 以及在所述ZIF连接器焊盘上形成电镀金层。
6. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述化学镀镍浸金层的化 学镀金层的厚度在0.01μm至0.1μm的范围内变化。
7. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述化学镀镍浸金层的化 学镀镍层的厚度在0.3μm至15μm的范围内变化。
8. 根据权利要求5所述的方法，其中，所述电镀金层的厚度在 0.1μm至1.0μm的范围内变化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
