[发明专利]用于半导体封装的印刷电路板的制造方法有效
申请号: | 200710306090.7 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101290888A | 公开(公告)日: | 2008-10-22 |
发明(设计)人: | 李亮制;金宏植;安东基;韩美贞;许卿进;林营奎 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 封装 印刷 电路板 制造 方法 | ||
相关申请交叉参考
本申请要求2007年4月18日提交的名为“用于半导体封装的 印刷电路板的制造方法”的韩国专利申请No.10-2007-0037892的权 益,其公开内容整体结合于此作为参考。
技术领域
一般而言,本发明涉及一种用于半导体封装的印刷电路板 (PCB)的制造方法。更具体地说,本发明涉及一种用于半导体封 装的PCB的制造方法,该方法使得在为了对用于半导体封装的PCB 进行表面处理而覆镀每个焊盘时的掩模(mask)工作减至最少。
背景技术
一般地,半导体封装是一种对由有源器件(例如,半导体芯片) 和无源器件(例如,电阻器、电容器等)组成的电子硬件系统的扩 展(proliferation)具有重大影响的技术,并且封装技术关系到电源、 信号连接、热辐射以及对外界的防护。
由于封装技术是为了满足包括电源、信号连接与热辐射的多方 面用途而发展起来的,而封装又是在暴露于周围环境的状态下来操 作的,因而使得产品的价格上升,从而不期望地,难以实现其商业 化。
随着电子产品的发展,对于半导体封装的国际需求正在增加, 具体地,封装(诸如用于笔记本PC、移动电话、移动数据传真设 备、磁盘驱动器等的CSP)的普及正在增长之中。
在用于半导体封装的PCB中,当单个基板设置有引线接合焊 盘和用于安装SMD(表面安装器件)的焊盘(诸如BGA)时,对 引线接合焊盘施加软金电镀工艺,此外,在BGA安装焊盘的情况 下,如果难以将用于电镀的导线拔出(withdraw),则施加无电镀 OSP或者化学镀(ENIG:化学镀镍浸金)工艺。
依赖于用于半导体封装的基板密度的增加,在需要满足包括引 线接合与SMD安装的两种或两种以上用途的情况下,例如,在需 要满足引线接合与表面安装技术(当无法将软金电镀的导线抽回 时)或者需要满足表面安装技术与ZIF连接器规范的情况下,通过 不同类型的覆镀工艺(包括电镀与化学镀)来完成表面处理。
为了进行上述不同类型的覆镀,实施使用干膜或可剥离油墨的 掩模工作。然而,在这种情况下,引起与掩模工作相关的许多问题, 包括对的掩模的设计局限性。
下面,参照图3A至3G,对根据传统技术的制造用于半导体封 装的印刷电路板的方法进行描述。
根据本技术领域中广为人知的方法,准备PCB 400,该PCB包 括树脂基板401、形成于该树脂基板上的引线接合焊盘402、405和 SMD安装焊盘403、404并具有预定的电路图案,在PCB 400的除 引线接合焊盘402、405和SMD安装焊盘403、404之外的部分上 形成阻焊剂层406(图3A)。
然后,在PCB的除SMD安装焊盘403、404之外的部分上施 加诸如干膜的第一抗镀剂(plating resist)407,从而将这些部分遮 掩(图3B),随后,通常进行化学镀和电镀工艺,从而在SMD安 装焊盘403、404上形成化学镀镍浸金(ENIG)层408、409(图3C)。 如在ENIG层408(图3C示出其实例)中,ENIG层具有包括化学 镀镍层408a与化学镀金层408b的双层形式。
去除第一抗镀剂407(图3D),并在PCB的除引线接合焊盘402、 405之外的部分上施加第二抗镀剂410,从而将这些部分遮掩(图 3E)。通过通常的软金电镀工艺,在引线接合焊盘402、405上形成 镍/金镀层411、412(图3F)。同样,如在该图所示的镍/金电镀层 412中,该镍/金电镀层由包括电镀镍层412a和电镀金层412b的双 层组成。最后,去除第二抗镀剂410,这样就完成了表面处理(图 3G)。
参照图4A至图4J,对根据另一传统技术的制造用于半导体封 装的印刷电路板的方法进行描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造