[发明专利]半导体器件电容制备方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底中形成有源区、P-阱和至少一个浅槽隔离区；

在半导体衬底之上形成第一栅极；

在第一栅极之上形成第一光刻胶图形；

在部分光刻胶图形之上沉积氮化硅层；

在氮化硅层之上形成第二栅极；

在半导体衬底之上顺序形成第一绝缘层和第二绝缘层；

在所述第二绝缘层之上形成第二光刻胶图形；

形成通过所述第一绝缘层和第二绝缘层延伸的多个孔；以及随后

通过形成用于晶体管的线路端子完成半导体器件的形成以及通过以金属材料填充这些孔完成电容的形成。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述线路端子包括源极线路端子、漏极线路端子、第一输入线路端子、第二输入线路端子和接地线路端子。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当使用所述第一输入线路端子和第二输入线路端子时半导体器件包括用于PIP电容的氮化硅电容。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当使用所述第一输入线路端子和接地线路端子时半导体器件包括用于晶体管的氧化物电容。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当结合使用所述第一输入线路端子、第二输入线路端子和接地线路端子时半导体器件包括彼此并联连接的氮化硅电容和氧化物电容。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，当结合使用所述第一输入线路端子、接地线路端子、第二输入线路端子和漏极线路端子时半导体器件包括晶体管。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以金属材料填充暴露有源区最上表面的孔形成所述源极线路端子和漏极线路端子。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以金属材料填充暴露第一栅极最上表面的孔形成所述源极线路端子。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以金属材料填充暴露第二栅极最上表面的孔形成所述第一输入线路端子。

10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以金属材料填充暴露半导体衬底的P-阱最上表面的孔形成所述接地线路端子。

11.一种方法，包括：

提供具有有源区和至少一个浅槽隔离区的半导体衬底；

在半导体衬底之上形成第一栅极；

在部分第一栅极之上形成氮化物层；

在氮化物层之上形成第二栅极；

在包括第一栅极和第二栅极的半导体衬底之上形成第一绝缘层；

在包括第一绝缘层的半导体衬底之上形成第二绝缘层；以及随后

形成通过第一绝缘层和第二绝缘层延伸并与所述有源区、半导体衬底、第一栅极和第二栅极接触的多个线路端子。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述线路端子包括源极线路端子、漏极线路端子、第一输入线路端子、第二输入线路端子和接地线路端子。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氮化物层包括氮化硅层。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括P-阱型半导体衬底。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括，在形成所述第一绝缘层之后且在形成所述第二绝缘层之前，平整化所述第一绝缘层的最上表面。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括，在形成所述第二绝缘层之后且在形成所述多个接地线路端子之前，平整化所述第二绝缘层的最上表面。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述多个接地线路端子包括：

形成用于暴露所述半导体衬底、有源区、第一栅极和第二栅极的最上表面的通过所述第一绝缘层和第二绝缘层延伸的多个孔；以及随后

以金属材料填充所述多个孔。