[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包含第一区域和第二区域的，其中在该第二区域中形成的蚀刻目标图案的图案密度小于在该第一区域中形成的蚀刻目标图案的图案密度，该方法包括：

提供含有该第一区域和该第二区域的衬底；

在该衬底上形成蚀刻目标层；

在该蚀刻目标层上形成硬掩模层；

蚀刻该硬掩模层，以分别在该第一区域和第二区域中形成第一硬掩模图案和第二硬掩模图案；

减小在该第二区域中形成的第二硬掩模图案的宽度；和

使用该第一硬掩模图案和具有减小宽度的该第二硬掩模图案作为蚀刻阻挡来蚀刻该蚀刻目标层，以在该第一区域和第二区域中形成蚀刻目标图案。

2.如权利要求1的方法，其中该硬掩模层为单层或具有叠层结构。

3.如权利要求1的方法，其中该硬掩模层包含含硅的碳层。

4.如权利要求1的方法，其中通过使用四氟化碳(CF₄)与氧气(O₂)的气体混合物，或C_xF_y、C_xH_yF_z、NF₃、Cl₂和BCl₃气体中的一种，或其气体混合物来进行该第一硬掩模图案和第二硬掩模图案的形成，其中x、y和z为自然数。

5.如权利要求3的方法，其中通过各向同性蚀刻工艺来进行该第二硬掩模图案宽度的减小。

6.如权利要求5的方法，其中通过使用CF₄与O₂的气体混合物，或者C_xF_y、C_xH_yF_z、NF₃、Cl₂和BCl₃气体中的一种、或其气体混合物来进行该各向同性蚀刻工艺，其中x、y及z为自然数。

7.如权利要求5的方法，其中通过施加约100W到约300W的偏压功率来进行该各向同性蚀刻工艺。

8.如权利要求1的方法，其中形成该硬掩模层包括：

通过使用氮化钛(TiN)层、钛(Ti)/TiN层、四氯化钛(TiCl₄)层、钨(W)层、氮化钨(WN)层和氧化铝(Al₂O₃)层的一种，在该蚀刻目标层上形成掩模层；和

在该掩模层上形成含有硅的碳层。

9.如权利要求1的方法，其中形成该蚀刻目标层包括：

在衬底上形成栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成栅极导电层；和

在该栅极导电层上形成栅极金属层。

10.如权利要求9的方法，还包括在该栅极金属层上形成栅极硬掩模层。

11.如权利要求10的方法，其中该栅极硬掩模层包含氮化物层。