[发明专利]半导体器件中栅电极的形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件中的栅电极的方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第一导电层，并且在所述第一导电层上形成第二导电层；

在所述第二导电层上形成硬掩模图案；

使用所述硬掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第二导电层；

进行氧化过程以在所述蚀刻的第二导电层的侧壁上形成抗氧化层；和

使用所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一导电层。

2.权利要求1的方法，其中所述第二导电层是单个钨(W)层、或氮化钨(WN)层、硅化钨层(WSi_X)层和钨层的堆叠结构。

3.权利要求1的方法，其中所述氧化过程在等离子体室中进行。

4.权利要求3的方法，其中所述氧化过程通过使用约40sccm～约60sccm的四氟甲烷(CF₄)气体、约20sccm～约30sccm的氧(O₂)气体和约100sccm～约900sccm的氮(N₂)气体进行。

5.权利要求3的方法，其中所述氧化过程通过仅对所述等离子体室施加源功率来进行。

6.权利要求1的方法，其中所述抗氧化层是等离子体氧化物。

7.权利要求6的方法，其中所述抗氧化层具有约40～约70的厚度。

8.权利要求1的方法，还包括在所述氧化过程之后使用臭氧(O₃)气体进行清洗过程。

9.权利要求1的方法，其中在相同的室中通过原位方法进行所述第二导电层的蚀刻和所述氧化过程。

10.权利要求1的方法，其中在相同的室中通过原位方法或在不同的室中通过异位方法进行所述硬掩模图案的形成、所述第二导电层的蚀刻、所述氧化过程的实施和所述第一导电层的蚀刻。