[发明专利]具有气隙的过电压保护装置

权利要求书

1.一种过电压保护装置，其包含：

第一衬底，其具有第一沟槽；

电极层，其配置于所述第一衬底上，所述第一沟槽将所述电极层切开且延伸到所述第一衬底内；

第二衬底，其具有第二沟槽，所述第二沟槽位于与所述第一沟槽相对的位置且具有与所述第一沟槽相同的宽度与长度，所述第二衬底覆盖于所述第一衬底上，以使得所述第一沟槽与所述第二沟槽接合。

2.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述电极层可为金、银、钯、铂、钨、铜等金属之一，其任意组合的合金和包含其任意组合的混合材料。

3.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述电极层中可进一步加入一纳米管，以降低触发电压。

4.根据权利要求3所述的过电压保护装置，其中所述纳米管可为纳米碳管或纳米铝管，和包含所述纳米管的混合物。

5.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述第一衬底与第二衬底分别为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的过电压保护装置，其中所述绝缘材料至少包含铝元素、钛元素或硅元素。

7.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述电极层可为I型或T型电极。

8.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中所述第一沟槽具有长度L2，所述电极具有宽度L1，L2＞L1。

9.根据权利要求1所述的过电压保护装置，其中通过所述电极层具有第一端与第二端，所述第一端与所述第二端为尖端状或平头状。

10.一种制造过电压保护装置的方法，其包含：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成电极层；

形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述电极层切开且延伸到所述第一衬底内；

提供第二衬底，其具有第二沟槽，所述第二沟槽位于与所述第一沟槽相对的位置且具有与所述第一沟槽相同的宽度与长度；以及将所述第二衬底覆盖于所述第一衬底上，以使得所述第一沟槽与所述第二沟槽接合。

11.根据权利要求10所述的方法，其还包括以金、银、钯、铂、钨、铜金属之一、其任意组合的合金和包含其任意组合的混合材料形成所述电极层。

12.根据权利要求10所述的方法，其还包括使用一纳米管形成所述电极层，以降低触发电压。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述纳米管可使用纳米碳管或纳米铝管和包含所述纳米管的混合物形成。

14.根据权利要求10所述的方法，其还包括以绝缘材料形成所述第一衬底与第二衬底。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述绝缘材料可用铝元素、钛元素或硅元素形成。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述电极层可由I型或T型电极形成。

17.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一沟槽具有长度L2，所述电极具有宽度L1，L2＞L1。

18.根据权利要求10所述的方法，其中通过所述电极层具有第一端与第二端，所述第一端与所述第二端为尖端状或平头状。

19.一种过电压保护装置，其包含：

第一衬底，其具有第一沟槽；

多层结构，其以堆叠方式配置于所述第一衬底上，其中所述多层结构包括至少两个电极层，且各所述至少两个电极层之间均有一绝缘层，所述第一沟槽将所述多层结构切开且延伸到所述第一衬底内；

第二衬底，其具有第二沟槽，所述第二沟槽位于与所述第一沟槽相对的位置且具有与所述第一沟槽相同的宽度与长度，所述第二衬底覆盖于所述第一衬底上，以使得所述第一沟槽与所述第二沟槽接合。

20.根据权利要求19所述的过电压保护装置，其中所述至少两个电极层可为金、银、钯、铂、钨、铜金属之一、其任意组合的合金和包含其任意组合的混合材料。

21.根据权利要求19所述的过电压保护装置，其中所述至少两个电极层之间可进一步加入一纳米管，以降低触发电压。

22.根据权利要求21所述的过电压保护装置，其中所述纳米管可为纳米碳管或纳米铝管和包含所述纳米管的混合物。