[发明专利]具有气隙的过电压保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种过电压保护装置，明确地说涉及一种具有气隙的过电压保护装置及其制造方法。

背景技术

过电压保护装置已被广泛用于电话、传真机、调制解调器等各种电子产品中，尤其是电子通信设备，以避免因为电压异常或静电放电(ESD)产生对于所述电子产品的损害，而导致所述电子产品发生故障。

业界已开发出各式各样的过电压保护装置，以使电子产品符合对于过电压的承受能力，例如，瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppress Diode，TVSD)装置、多层压敏电阻(Multi-Layer Varistor，MLV)装置等，用以提供线路保护的设计。此外，中华民国专利公开号第I253881号也提出一种芯片型微气隙放电保护元件及其制造方法，其利用厚膜印刷工艺，在两个主要放电电极之间形成一微小间隙的气室，以提供过电压保护的功能。然而，上述过电压保护的设计，仍存在如下缺点：在厚膜印刷工艺中，每印刷一层材料，即需经过烧结炉烧结，因此印刷和烧结工艺不断重复，耗费相当多的时间与工作；同时，由于厚膜印刷层的厚度具有一定的范围，所以气隙的深度将会受到限制。

发明内容

鉴于这种情况，本发明提出一种具有气隙的过电压保护装置及其制造方法，其可改善上述缺点，且符合业界的需求。

根据本发明的过电压保护装置包含：第一衬底；电极层，其形成于所述第一衬底上；形成第一沟槽，所述第一沟槽将所述电极层切开且延伸到所述第一衬底内；第二衬底，其具有第二沟槽，所述第二沟槽位于与所述第一沟槽相对的位置且具有与所述第一沟槽相同的宽度与长度，所述第二衬底覆盖于所述第一衬底上，以使得所述第一沟槽与所述第二沟槽接合，其中，由所述第一沟槽与所述第二沟槽形成延伸到所述第一衬底和所述第二衬底内的气隙。

所述气隙用以提供过电压保护，且可依照需求和规格调整尺寸，例如气隙的深度与宽度，此不会因为工艺而受到限制。

同时，由于利用多层工艺，因此可免除厚膜印刷工艺中不断重复的印刷和烧结工艺，本发明的制造方法与厚膜印刷工艺相比得以简化。

根据本发明的一特征，本发明的电极如果是内电极型式，那么所述放电端的尖点即具有尖端可放电的优点，如此可降低装置的触发电压。

通过以下实施例和图式说明，可更详尽地了解本发明的进一步特征和功能。

附图说明

图1A和1B分别是根据本发明的第一实施例形成第一衬底的俯视图和剖面图。

图2A和2B分别是根据本发明的所述第一实施例形成电极层的俯视图和剖面图。

图3A和3B分别是根据本发明的所述第一实施例形成第一沟槽的俯视图和剖面图。

图4A和4B分别是根据本发明的所述第一实施例形成第二衬底的俯视图和剖面图。

图5展示根据本发明的所述第一实施例所形成的过电压保护装置的剖面图。

图6是立体透视图，其展示根据本发明的所述第一实施例所形成的过电压保护装置结构。

图7A和7B分别是根据本发明的第二实施例形成第一衬底的俯视图和剖面图。

图8A和8B分别是根据本发明的所述第二实施例形成电极层的俯视图和剖面图。

图9A和9B分别是根据本发明的所述第二实施例形成绝缘层的俯视图和剖面图。

图10A和10B分别是根据本发明的所述第二实施例形成另一电极层的俯视图和剖面图。

图11A和11B分别是根据本发明的所述第二实施例形成第一沟槽的俯视图和剖面图。

图12A和12B分别是根据本发明的所述第二实施例形成第二衬底的俯视图和剖面图。

图13展示根据本发明的所述第二实施例所形成的过电压保护装置的剖面图。

图14展示根据本发明的第三实施例所形成的过电压保护装置的剖面图。

图15A及15B分别是根据本发明的第四实施例形成第一衬底的俯视图和剖面图。

图16A及16B分别是根据本发明的所述第四实施例形成电极层的俯视图和剖面图。

图17A及17B分别是根据本发明的所述第四实施例形成第二衬底的俯视图和剖面图。

图18A及18B分别是根据本发明的所述第四实施例形成沟槽的俯视图和剖面图。

图19A是根据本发明的所述第四实施例形成第三衬底的剖面图。

图19B是根据本发明的第四实施例所形成的过电压保护装置的剖面图。

图20A及20B分别是根据本发明的第五实施例形成第一衬底的俯视图和剖面图。