[发明专利]超薄芯片尺寸封装结构及其方法

权利要求书

1.一种超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述的超薄芯片尺寸封装结构包含：

一基板；

复数晶粒，其具有复数接合垫形成于其上；

一第一介电层，其形成于所述的复数晶粒上以暴露所述的接合垫的部分表面；

一连通导电层，其填充所述的第一介电层间的空隙内；

一重分布层导线，其形成于所述的连通导电层及所述的第一介电层上；

一第二介电层，其形成于所述的第一介电层及所述的重分布层导线上以暴露所述的重分布层导线的部分表面；

复数导电凸块，其形成于所述的第二介电层间的空隙上；以及

一覆盖保护层，其形成于所述的基板之下；

其中所述的复数导电凸块透过所述的连通导电层及所述的复数重分布层导线而电性连接至所述的接合垫。

2.根据权利要求1所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述的超薄芯片尺寸封装结构还包含一晶粒黏着膜，其成型于所述的基板及所述的复数晶粒之间。

3.根据权利要求1所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述的超薄芯片尺寸封装结构还包含核心黏胶，其填充于所述的复数晶粒间的空隙内。

4.根据权利要求3所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，其中所述的核心黏胶的材料包含硅胶、含硅树脂或环氧树脂。

5.根据权利要求1所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，其中所述的基板的材料包含金属、合金、有机物、玻璃、陶瓷或硅，其中所述的合金包含镍铁合金(Alloy42；42％Ni-58％Fe)、柯弗合金(Kover；29％Ni-17％Co-54％Fe)。

6.根据权利要求1所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，其中所述的第一介电层及所述的第二介电层的材料包含苯环丁烯、硅氧烷聚合物或聚亚酰胺。

7.根据权利要求1所述的超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，其中所述的覆盖保护层的材料包含环氧树脂及橡胶。

8.一种用于制造超薄芯片尺寸封装的方法，其特征在于，所述的方法包含：

预备附有复数晶粒的晶圆，所述的复数晶粒具有复数接合垫形成于其上；

切割附着于切割胶带上的所述的晶圆以形成复数狭长孔直到达第一预定深度；

将所述的晶圆附着于研磨胶带架的下方且背面研磨所述的晶圆直到达第二预定深度；

将经切割的所述的晶圆结合至具有晶粒黏着膜的基板；

移除所述的研磨胶带架；

填充核心黏胶于所述的复数晶粒及所述的晶粒黏着膜间的空隙内；

蚀刻所述的基板的背侧以去除部分区域的所述的基板；

形成覆盖保护层于所述的基板的背侧上；

形成复数第一介电层于所述的晶圆上且暴露所述的复数晶粒的部分表面；

溅镀连通导电层以填充于所述的复数第一介电层间的空隙内；

形成重分布层导线于所述的连通导电层及所述的复数第一介电层上以暴露所述的复数第一介电层的部分表面；

涂布复数第二介电层以填充于所述的连通导电层间的空隙且暴露所述的连通导电层的部分表面；以及

将复数导电凸块焊接于所述的复数第二介电层间的空隙上。

9.根据权利要求8所述的用于制造超薄芯片尺寸封装的方法，其特征在于，所述的方法还包含：

于印刷焊锡糊剂或植入导电凸块于凸块底层金属上之前形成凸块底层金属结构；以及

将所述的超薄芯片尺寸封装置放于所述的切割胶带上以分离成独立芯片。

10.根据权利要求8所述的用于制造超薄芯片尺寸封装的方法，其特征在于，其中蚀刻所述的基板的背侧的步骤是通过湿式蚀刻法。