[发明专利]非易失性存储系统和相关编程方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储系统，包括：

包括多个多位存储单元的一存储阵列；和

一存储控制器，包括：

一缓冲存储器，用于存储在多个存储单元中所选存储单元中已编程的j-位数据；

一修复存储器，用于保存从所选存储单元中读取的i-位数据；

一失败位置检测器，用于根据从所选存储单元读取的j-位数据和缓冲存储器中存储的j-位数据之间的比较确定i-位数据中的位错误的位置；和

一修复单元，用于修复在修复存储器中保存的i-位数据中的位错误。

2.根据权利要求1所述的系统，其中缓冲存储器具有比修复存储器更大的容量。

3.根据权利要求1所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于执行比较的比较器。

4.根据权利要求1所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于纠正i-位数据中错误的错误纠正单元。

5.根据权利要求1所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于纠正i-位数据中错误的错误纠正电路。

6.根据权利要求1所述的系统，其中失败位置检测器关于多位存储单元的单元加扰确定位错误的位置。

7.根据权利要求1所述的系统，其中i-位数据和j-位数据都包括数据页或块。

8.根据权利要求1所述的系统，其中存储阵列包括NAND闪存阵列。

9.一种非易失性半导体存储系统，包括：

第一至第n存储芯片，每个包括多个多位非易失性存储单元；和一存储控制器，包括：

第一至第m缓冲存储器，每个用于保存在第一至第n存储芯片内的多个多位非易失性存储单元中所选存储单元中编程的j-位数据；

和第一至第p修复存储器，用于保存在所选存储单元中保存的i-位数据；

一失败位置检测器，用于根据从所选存储单元读取的j-位数据和缓冲存储器中存储的j-位数据之间的比较，来确定i-位数据中的位错误的位置；和

一修复单元，用于修复在修复存储器中保存的i-位数据中的位错误。

10.根据权利要求9所述的系统，其中n和m都大于1以及第一至第p修复存储器包括单个修复存储器。

11.根据权利要求9所述的系统，其中第一至第m缓冲存储器和第一至第p修复存储器包括单个存储芯片的不同区域。

12.根据权利要求9所述的系统，其中n等于m。

13.根据权利要求9所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于执行比较的比较器。

14.根据权利要求9所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于纠正i-位数据中错误的错误纠正单元。

15.根据权利要求9所述的系统，其中存储控制器进一步包括用于纠正i-位数据中错误的错误纠正电路。

16.根据权利要求9所述的系统，其中失败位置检测器关于多位存储单元的单元加扰确定位错误的位置。

17.根据权利要求9所述的系统，其中i-位数据和j-位数据都包括数据页或块。

18.根据权利要求9所述的系统，其中一个或多个第一至第n存储芯片包括NAND闪存芯片。

19.一种在多位非易失性半导体存储系统中执行编程操作的方法，所述多位非易失性存储系统包括包含多个多位存储单元的一存储阵列和一存储控制器，该方法包括：

在存储阵列的所选存储单元中编程i-位数据；

在存储控制器中保存j-位数据；

编程所选存储单元中的j-位数据；

确定在所选存储单元中是否成功编程j-位数据；

一旦确定在所选存储单元中没有成功编程j-位数据，则比较所选存储单元中保存的j-位数据和存储控制器中保存的j-位数据；

根据比较，确定所选存储单元中存储的i-位数据的至少一个位错误的位置；以及

修复i-位数据中至少一个位错误。

20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：

一旦确定在所选存储单元中成功编程j-位数据，则终止编程操作。