[发明专利]功率MOSFET的晶片级芯片规模封装

权利要求书

1.一种制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

向晶片背面以及晶片正面上的多个接触区化学镀Ni；和

在经镀覆的多个接触区上形成焊球。

2.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，该方法进一步包括切割晶片以形成多个功率MOSFET芯片的步骤。

3.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的接触区包括Al。

4.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的接触区包括Al合金。

5.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的背面包括Ti/Al。

6.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的背面包括Ti/Al合金。

7.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的背面包括从由Ti/Zn，Ti/Pd组成的组合中选择的金属或用作化学镀Ni的籽晶层的任何其它金属。

8.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的功率MOSFET包含共漏功率MOSFET芯片。

9.如权利要求1所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的多个接触区包括源，栅和漏接触区。

10.一种制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

在晶片背面设置永久保护层；

向晶片正面的多个接触区化学镀Ni；和

在经镀覆的多个接触区上形成焊球。

11.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的保护层包括钝化层。

12.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的保护层包括能够耐受化学镀剂以及与化学镀和焊料回流相关的温度的薄膜带。

13.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的保护层包括坯衬底。

14.如权利要求13所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的坯衬底通过粘结剂层粘结到所述的背面。

15.如权利要求13所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的坯衬底通过环氧树脂层粘结到所述的背面。

16.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，该方法进一步包括切割晶片以形成多个功率MOSFET芯片规模封装的步骤。

17.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的接触区包括Al。

18.如权利要求10所述的制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，所述的接触区包括Al合金。

19.一种制造功率MOSFET的晶片级芯片规模封装的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

在晶片背面设置永久坯衬底；

通过溅射和电解镀下凸金属化晶片正面的多个接触区；和

在经镀覆的多个接触区上形成焊球。