[发明专利]半导体器件的制造方法有效
申请号: | 200710308172.5 | 申请日: | 2002-03-19 |
公开(公告)号: | CN101241916A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 广木正明;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/13;G09G3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏军 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
形成在具有透明性的衬底上的象素电路、驱动电路和波形整形电路;
形成在所述衬底上的用于接收AC信号的线圈,并且
其中所述线圈电连接至所述波形整形电路。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述波形整形电路包括电容器和电阻器。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述波形整形电路形成选自由时钟信号、起始脉冲信号和视频信号构成的组的驱动信号,并且
所述驱动信号被提供给所述象素电路和所述驱动电路。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述驱动电路和所述象素电路各自分别包括至少一个薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述象素电路包括发光元件。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈具有矩形螺旋线形状。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈具有环形螺旋线形状。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈包括含有由Ta、Ti和W构成的组中选出的一种元素的第一层、含有所述元素的合金或者由所述各元素组成的合金膜、以及含有由铝、Cu和W构成的组中选出的一种元素的第二层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述象素电路包括至少一个薄膜晶体管,并且
其中所述线圈与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈和所述波形整形电路形成在所述象素电路的区域之外。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述半导体器件是有源矩阵型液晶显示器。
12.一种半导体器件,包括:
形成在具有透明性的衬底上的象素电路、驱动电路、波形整形电路和整流电路;
形成在所述衬底上的用于接收AC信号的线圈,并且
其中所述线圈电连接至所述波形整形电路。
13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述整流电路包括二极管、电容器和电阻器。
14.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述波形整形电路包括电容器和电阻器。
15.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述波形整形电路形成选自由时钟信号、起始脉冲信号和视频信号构成的组的驱动信号,并且
所述驱动信号被提供给所述象素电路和所述驱动电路。
16.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述驱动电路和所述象素电路各自分别包括至少一个薄膜晶体管。
17.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述象素电路包括发光元件。
18.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈具有矩形螺旋线形状。
19.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈具有环形螺旋线形状。
20.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈包括含有由Ta、Ti和W构成的组中选出的一种元素的第一层、含有所述元素的合金或者由所述各元素组成的合金膜、以及含有由铝、Cu和W构成的组中选出的一种元素的第二层。
21.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述象素电路包括至少一个薄膜晶体管,并且
其中所述线圈与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同。
22.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈、所述波形整形电路和所述整流电路形成在所述象素电路的区域之外。
23.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述半导体器件是有源矩阵型液晶显示器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710308172.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的