[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710308172.5 申请日: 2002-03-19
公开(公告)号: CN101241916A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 广木正明;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/13;G09G3/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 魏军
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

形成在具有透明性的衬底上的象素电路、驱动电路和波形整形电路;

形成在所述衬底上的用于接收AC信号的线圈,并且

其中所述线圈电连接至所述波形整形电路。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述波形整形电路包括电容器和电阻器。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述波形整形电路形成选自由时钟信号、起始脉冲信号和视频信号构成的组的驱动信号,并且

所述驱动信号被提供给所述象素电路和所述驱动电路。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述驱动电路和所述象素电路各自分别包括至少一个薄膜晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述象素电路包括发光元件。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈具有矩形螺旋线形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈具有环形螺旋线形状。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈包括含有由Ta、Ti和W构成的组中选出的一种元素的第一层、含有所述元素的合金或者由所述各元素组成的合金膜、以及含有由铝、Cu和W构成的组中选出的一种元素的第二层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述象素电路包括至少一个薄膜晶体管,并且

其中所述线圈与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述线圈和所述波形整形电路形成在所述象素电路的区域之外。

11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述半导体器件是有源矩阵型液晶显示器。

12.一种半导体器件,包括:

形成在具有透明性的衬底上的象素电路、驱动电路、波形整形电路和整流电路;

形成在所述衬底上的用于接收AC信号的线圈,并且

其中所述线圈电连接至所述波形整形电路。

13.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述整流电路包括二极管、电容器和电阻器。

14.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述波形整形电路包括电容器和电阻器。

15.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述波形整形电路形成选自由时钟信号、起始脉冲信号和视频信号构成的组的驱动信号,并且

所述驱动信号被提供给所述象素电路和所述驱动电路。

16.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述驱动电路和所述象素电路各自分别包括至少一个薄膜晶体管。

17.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述象素电路包括发光元件。

18.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈具有矩形螺旋线形状。

19.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈具有环形螺旋线形状。

20.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈包括含有由Ta、Ti和W构成的组中选出的一种元素的第一层、含有所述元素的合金或者由所述各元素组成的合金膜、以及含有由铝、Cu和W构成的组中选出的一种元素的第二层。

21.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述象素电路包括至少一个薄膜晶体管,并且

其中所述线圈与所述薄膜晶体管的栅电极的材料相同。

22.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述线圈、所述波形整形电路和所述整流电路形成在所述象素电路的区域之外。

23.根据权利要求12所述的半导体器件,其中所述半导体器件是有源矩阵型液晶显示器。

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