[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本发明申请是申请日为2002年3月19日、申请号为02107474.7的同名专利申请的一个分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法，包括利用半导体特性的半导体元件(如晶体管，特别是场效应晶体管；通常为金属氧化物半导体(MOS)晶体管和薄膜晶体管(TFT))的检测工艺。更具体地说，本发明涉及非接触型检测装置和使用该检测装置的检测方法。本发明还涉及包括这种半导体元件的检测工艺的半导体器件的制造方法。

背景技术

在有源矩阵型液晶显示器和电致发光(EL)显示器中，TFT一般提供在每个象素中。在液晶显示器的情况下，在形成在每个象素中的多个TFTs中，有些TFTs用做开关元件，而另一些控制电流。

在完成产品之前在制造其中形成大量TFTs的显示器期间在早期阶段包含识别缺陷产品的检测工艺对于降低成本是非常有效的。原因如下：不需要对缺陷产品进行后续步骤；由于早期发现，因此很容易修复缺陷产品，等等。

例如，在EL显示器中，EL元件的一个电极(象素电极)和电容器可以利用形成其间的晶体管互相连接。即使在用于控制发光元件的光发射的电路或电路元件中有某些麻烦，也很难证实存在缺陷，直到完成EL显示器和即使进行显示为止。关于实际上没有成为产品的BL面板，为了区别于满意的产品，形成发光元件，进行封装，并固定连接器以完成EL显示器，由此对EL显示器进行检测。

在这种情况下，形成发光元件、封装和固定连接器的工艺变得没有用了，因此不能降低减少时间和成本。此外，即使在采用多削角(multiple-chamfered)衬底形成EL面板的情况下，封装和固定连接器的工艺就没有用了，因此也不能减少时间和成本。

为了检测其中由于半导体膜、绝缘膜或布线(以下只称为“图形”)的图形宽度变化而引起的操作故障的部分和其中由于灰尘或缺陷膜形成引起的布线断开或短路的部分，并且为了证实要检测的电路或电路元件是否正常工作，进行检测。这种缺陷检测主要分为光学检测法和探针检测法。

根据光学检测法，由CCD等读取形成在衬底上的图形，并且被读取图形与参考图形比较以识别缺陷。根据探针检测法，细针(探针)的端部放在衬底一侧上，并在探针之间的电流或电压的大小基础上识别缺陷。通常，前种方法称为非接触型检测法，后种方法称为触针型检测法。

通过其中布线直接连接(接触)到TFT衬底上的上述检测法识别能用于产品的好的TFT衬底和不能用于产品的缺陷TFT衬底。但是，根据该方法，在连接布线固定和去除期间，灰尘可能附着于衬底上。此外，根据通过直接使细针(探针)与布线接触的检测缺陷部分的方法，布线可能被损坏。这种检测方法在检测工艺期间可能不必要地增加缺陷产品。而且，根据光学检测法，需要很长时间以检测很多次。

发明内容

因此，鉴于上述原因，本发明的目的是提供包括非接触型检测工艺的半导体器件的制造方法，该检测工艺在EL显示器完成之前能够确认形成在TFT衬底上的电路或电路元件是否正常工作，以便批量生产有源矩阵型EL显示器。

本发明的发明人发现了一种方法，即在不直接将检测装置连接到阵列衬底上的情况下，通过电磁感应向布线产生电动势而允许电流流过TFT衬底的布线。

更具体地说，为了检测TFT衬底，分开制备检验衬底。检验衬底具有初级线圈，要检测的阵列衬底(TFT衬底)具有次级线圈。

次级线圈是通过构图形成在衬底上的导电膜形成的。根据本发明，可以使初级线圈和次级线圈是这样的：其中在中心提供磁性物质以形成磁通路。而且，可以采用在中心不提供磁性物质的线圈。

检验衬底的初级线圈与阵列衬底的次级线圈重叠，因此其间保持预定间隔，并且在初级线圈的两端施加交流电压，由此在次级线圈的两端产生电动势。希望检验衬底和阵列衬底之间的间隔尽可能的小，并且初级线圈和次级线圈优选互相靠近到能控制其间的间隔的程度。

作为在次级线圈中产生的电动势的交流电压在TFT衬底中被校正之后适当地变平缓，因此得到电压可用做用于驱动TFT衬底的电路或电路元件的直流电压(以下称为“电源电压”)。此外，作为在次级线圈中产生的电动势的交流电压被波形整形电路等适当整形，因此得到的电压可以用做用于驱动TFT衬底的电路或电路元件的信号(以下称为“驱动信号”)。