[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1、一种图像传感器包括：

包括电路的衬底；

在所述衬底上连续形成的底部电极、本征层、第一导电层；

在所述第一导电层上形成的扩散阻挡膜；和

在所述扩散阻挡膜上形成的上部透明电极。

2、根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述扩散阻挡膜具有等于或小于60％的氧气浓度。

3、根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述扩散阻挡膜是使氮气在第一导电层上扩散的层。

4、根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括在底部电极和本征层之间形成的第二导电层。

5、根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述衬底包括金属配线和电子传输线。

6、一种用于制造图像传感器的方法包括：

在包括电路的衬底上顺序地形成底部电极、本征层、和第一导电层；

在所述第一导电层上形成扩散阻挡膜；并且

在所述扩散阻挡膜上形成上部透明电极。

7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡膜通过在所述第一导电层的表面上执行等离子体处理，在所述第一导电层上形成。

8、根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理在100到400℃的温度和10托到100托的压力下使用氮气来执行。

9、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述扩散阻挡膜通过执行气体簇离子束处理在所述第一导电层上形成。

10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述气体簇离子束处理通过使用氮气形成的范围为100到9000微米的气体簇离子束来执行，以在所述第一导电层上形成扩散阻挡膜。

11、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，扩散阻挡膜有等于或小于60％的氧气浓度。

12、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包含在所述底部电极上形成第二导电层，并且在所述第二导电层上形成本征层。

13、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包含在衬底内部形成电子传输线。

14、根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包含在所述电子传输线和所述底部电极之间形成阻挡金属。