[发明专利]图像传感器及其制造方法

说明书

本申请要求享有2007年6月25日提出的申请号为No.10-2007-0062009的韩国专利申请的优先权，在此结合其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种传感器，尤其是，涉及一种图像传感器及其制造方法。

背景技术

一般来说，图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的一种半导体器件，并且一般主要地分类为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化硅(CMOS)图像传感器(CIS)。

CCD图像传感器具有多种缺点，比如，复杂的驱动模式、高能耗、和由于相对大量的光刻工艺步骤的复杂的制造工艺。因此，近来，CMOS图像传感器受到关注，作为用于克服CCD缺点的下一代图像传感器。

CMOS图像传感器通过在单元像素内形成光电二极管和MOS晶体管，以依次检测每个单位像素的电信号，获得图像。

传统的CMOS图像传感器可以分为用于把光信号转换为电信号的光电二极管区(未示出)和用于处理电信号的晶体管区(未示出)。然而，根据现有技术的CMOS图像传感器具有其中光电二极管和晶体管横向排列的结构。虽然由于横向CMOS图像传感器已经解决了CCD图像传感器的缺点，仍然还有很多问题。即，根据现有技术的横向图像传感器，光电二极管和晶体管在衬底上互相紧邻的横向制造。这样，对于光电二极管需要额外的区域，因此，存在填充因子减小和限制可能的高分辨率的问题。

此外，很难同时优化制造光电二极管和晶体管的工艺。即，在用于制造晶体管的即时(prompt)工艺中，低薄层电阻需要浅结，然而在用于制造光电二极管的工艺中，浅结可能不合适。

此外，当图像传感器增加附加的片内功能，或者像素大小将增加以保持图像传感器的灵敏度或光电二极管需要的区域将减小以保持像素大小。如果像素大小增加以保持灵敏度，图像传感器的分辨率减小。如果光电二极管区域减小以保持像素大小，传感器的灵敏度可能减小。

发明内容

因此，本发明涉及一种图像传感器及其制造方法，其基本上消除由于现有技术的局限性和缺陷引起的一个或多个问题。

本发明的一个目的在于提供一种能够提供晶体管电路和光电二极管的新的集成的图像传感器，以及用于制造该图像传感器的方法。

本发明的另一目的在于提供一种能够防止泄漏电流的图像传感器，以及用于制造该图像传感器的方法。

本发明的另一目的在于提供一种能够同时改进分辨率和灵敏度的图像传感器，以及用于制造该图像传感器的方法。

本发明的另一目的在于提供一种能够防止即使在采用垂直光电二极管的光电二极管内的缺陷的图像传感器，以及用于制造该图像传感器的方法。

本发明的其它优点、目的和特征将在说明书中阐明，熟悉本领域的普通技术人员从说明书可以明白，或可以通过本发明的实施方式理解。本发明的目的和其它优点将通过说明书和权利要求书以及附图所指出的结构来实现和获得。

为了获得这些目的和其它的优点并根据本发明的目的，如在此具体和广泛描述的，一种图像传感器包括：包括电路的衬底，在所述衬底上顺序地形成的底部电极、本征层、第一导电层，在所述第一导电层上形成的扩散阻挡膜；和在所述扩散阻挡膜上形成的上部透明电极。

本发明的另一方面，一种用于制造图像传感器的方法包括：在包括电路的衬底上顺序地形成底部电极、本征层、和第一导电层，在所述第一导电层上形成扩散阻挡膜；并且在所述扩散阻挡膜上形成上部透明电极。

应该理解，本发明上面的概括性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其目的在于对本发明的权利要求作进一步解释。

附图说明

本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书相结合并构成说明书的一部分，本发明图示的实施方式与说明书一起解释本发明的原理。在图中：

图1示出了根据本发明一实施方式的图像传感器的截面图；

图2至5示出了用于制造根据本发明一实施方式的图像传感器的方法的截面图。

具体实施方式

现在参照附图所示的示例，详细说明本发明的图像传感器及其制造方法。

在本发明的优选实施方式的说明中，当描述任何构件为在每层“上或下”形成，该说明包括在每层上或下包括插入的其它层直接或间接形成的构件。

(实施方式)

图1示出了根据本发明一实施方式的图像传感器的截面图。