[发明专利]闪存器件以及形成该器件的方法

权利要求书

1.一种形成闪存器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成多个单元栅图案，该半导体衬底包括第一单元栅图案、与第一单元栅图案相邻的第二单元栅图案、与第二单元栅图案相邻的第三单元栅图案以及与第三单元栅图案相邻的第四单元栅图案，每一个单元栅图案都具有第一部分和第二部分，其中第二单元栅图案和第三单元栅图案的第一部分以第一距离相互分开，并且第二单元栅图案和第三单元栅图案的第二部分以小于第一距离的第二距离相互分开；

在单元栅图案的两个侧壁上形成间隔层；

形成覆盖单元栅图案的第一部分的掩模图案；

使用掩模图案作为蚀刻掩模去除形成在单元栅图案第二部分的侧壁上的间隔层；以及

去除掩模图案。

2.如权利要求1的方法，其特征在于，第一单元栅图案和第二单元栅图案的第一部分以第三距离相互分开，并且第一单元栅图案和第二单元栅图案的第二部分以第四距离相互分开。

3.如权利要求2的方法，其特征在于，第一距离等于第三距离。

4.如权利要求2的方法，其特征在于，第三距离小于第一距离。

5.如权利要求2的方法，其特征在于，还包括：在去除掩模图案之后，

在半导体衬底整个表面上方形成平坦化绝缘膜；

在暴露出半导体衬底的平坦化绝缘膜中以及第二单元栅图案和第三单元栅图案的第一部分之间形成多个第一接触孔，

在暴露出半导体衬底的平坦化膜中以及第一单元栅图案和第二单元栅图案的第二部分之间形成第二接触孔；以及之后

在第一和第二接触孔中形成接触插塞。

6.如权利要求5的方法，其特征在于，形成多个第一接触孔包括对平坦化绝缘膜构图。

7.一种闪存器件，包括：

在单个方向上延伸且每一个都具有在半导体衬底上方形成的第一部分和第二部分的多个单元栅图案，其中半导体衬底包括第一单元栅图案、与第一单元栅图案相邻的第二单元栅图案、与第二单元栅图案相邻的第三单元栅图案以及与第三单元栅图案相邻的第四单元栅图案；以及

形成在单元栅图案的第一部分的侧壁上的间隔层，其中在单元栅图案的第二部分的侧壁上形成的间隔层通过刻蚀掩模被去除，

其中第二单元栅图案和第三单元栅图案的第一部分以第一距离相互分开，并且第二单元栅图案和第三单元栅图案的第二部分以小于第一距离的第二距离相互分开。

8.如权利要求7的闪存器件，其特征在于，第一单元栅图案和第二单元栅图案的第一部分以第三距离相互分开，并且第一单元栅图案和第二单元栅图案的第二部分以第四距离相互分开。

9.如权利要求7的闪存器件，其特征在于，第一距离等于第三距离。

10.如权利要求7的闪存器件，其特征在于，第三距离小于第一距离。

11.如权利要求7的闪存器件，其特征在于，还包括在半导体衬底的整个表面上方形成的平坦化绝缘膜。

12.如权利要求11的闪存器件，其特征在于，平坦化绝缘膜包括在第二单元栅图案和第三单元栅图案的第一部分之间的多个第一接触孔，其中第一接触孔暴露出半导体衬底。

13.如权利要求12的闪存器件，其特征在于，平坦化绝缘膜包括在第一单元栅图案和第二单元栅图案的第二部分之间的第二接触孔，其中第二接触孔暴露出半导体衬底。

14.如权利要求13的闪存器件，其特征在于，还包括在每个第一接触孔中形成的第一接触插塞。

15.如权利要求14的闪存器件，其特征在于，还包括在每个第二接触孔中形成的第二接触插塞。

16.如权利要求15的闪存器件，其特征在于，第一接触插塞和第二接触插塞各自由导电材料构成。

17.如权利要求16的闪存器件，其特征在于，导电材料包括钨。