[实用新型]晶片结构、芯片结构与芯片封装结构无效
申请号: | 200720002279.2 | 申请日: | 2007-03-02 |
公开(公告)号: | CN201038161Y | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 许志行 | 申请(专利权)人: | 威盛电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 结构 芯片 封装 | ||
1.一种晶片结构,其特征在于,包括:
具有第一表面与第二表面的基底;
配置于该第一表面上的多个线路单元;以及
配置于该基底内的多个电容元件,其中各个该电容元件包括:两个电极部,由该第二表面延伸至该基底内部并电性连接至该多个线路单元之一;以及介电部,配置于该两个电极部之间。
2.如权利要求1的晶片结构,其特征在于,该电容元件的该两个电极部电性连接至该多个线路单元之一。
3.如权利要求1的晶片结构,其特征在于,还包括多个电性连接结构,其中各个该电性连接结构包括:两个导电通孔,贯穿该基底且电性连接至该多个线路单元之一;以及两个连接线,配置于该第二表面上,其中各个该电容元件的该两个电极部通过该两个连接线而分别电性连接至该两个导电通孔。
4.一种芯片结构,其特征在于,包括:
具有第一表面与第二表面的基底;
配置于该第一表面上的线路单元;以及
配置于该基底内的电容元件,其中该电容元件包括:两个电极部,由该第二表面延伸至该基底内部并电性连接至该线路单元;以及介电部,配置于该两个电极部之间。
5.如权利要求4的芯片结构,其特征在于,该电容元件的该两个电极部直接电性连接至该线路单元。
6.如权利要求4的芯片结构,其特征在于,还包括电性连接结构,其包括:两个导电通孔,贯穿该基底且电性连接至该线路单元;以及两个连接线,配置于该第二表面上,其中该电极部通过该连接线而电性连接至该导电通孔。
7.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
承载器;以及
配置于该承载器上的芯片,其中该芯片包括:
具有第一表面与第二表面的基底;
配置于该第一表面上并电性连接至该承载器的线路单元;以及
配置于该基底内的电容元件,其中该电容元件包括:两个电极部,由该第二表面延伸至该基底内部,其中该两个电极部电性连接至该线路单元;以及介电部,配置于该两个电极部之间。
8.如权利要求7的芯片封装结构,其特征在于,该电容元件的该两个电极部直接电性连接至该线路单元。
9.如权利要求7的芯片封装结构,其特征在于,该芯片还包括电性连接结构,其包括:两个导电通孔,贯穿该基底且电性连接至该线路单元;以及两个连接线,配置于该第二表面上,其中该两个电极部通过该两个连接线而分别电性连接至该两个导电通孔。
10.如权利要求7的芯片封装结构,其特征在于,还包括多个导电凸块,其配置于线路单元与该承载器之间,且电性连接线路单元与该承载器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司,未经威盛电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720002279.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的