[实用新型]晶片结构、芯片结构与芯片封装结构

说明书

技术领域

本实用新型有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种晶片结构、芯片结构与芯片封装结构。

背景技术

已有的芯片封装体的芯片在进行高速启动(tumon)与关闭(tumoff)的切换时，芯片内部的电流回路会产生切换噪音(switching noise)，而配置于芯片封装体内的电容元件将适时地稳定电压与过滤高频噪音。在已有的芯片封装体中，电容元件依照设计需求而配置于芯片的线路单元内、承载器内或承载器上，然而这些设计皆有其缺点。

进言之，芯片主要是由基底与配置于基底上的线路单元所构成，且线路单元具有集成电路。由于受限于线路单元的空间使用率的考量，所以配置于芯片的线路单元内的电容元件其电容值较小而无法达到预期稳定电压的效果。此外，配置于承载器内的电容元件其制作不易且制造成本较高。另外，配置于承载器上的电容元件虽然其电容值可较大，但是配置于承载器上的电容元件与芯片相距较远而亦无法达到预期稳定电压的效果。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶片结构，其切割后所形成的芯片结构的电性效能较佳。本实用新型提供一种芯片结构，其电性效能较佳。本实用新型提供一种芯片封装结构，其内部的芯片的电性效能较佳。

本实用新型提出一种晶片结构，其包括基底、多个线路单元与多个电容元件。基底具有彼此相对的第一表面与第二表面，且这些线路单元配置于基底的第一表面上，而这些电容元件配置于基底内。各个电容元件包括两个电极部与介电部。各个电容元件的这些电极部由基底的第二表面延伸至基底内部，且各个电容元件的这些电极部电性连接至这些线路单元的其中之一，而各个电容元件的介电部配置于对应的这些电极部之间。

本实用新型提出一种芯片结构，其包括基底、线路单元与电容元件。基底具有彼此相对的第一表面与第二表面，且线路单元配置于基底的第一表面上，而电容元件配置于基底内。电容元件包括两个电极部与介电部。这些电极部由基底的第二表面延伸至基底内部，且这些电极部电性连接至线路单元，而介电部配置于这些电极部之间。

本实用新型提出一种芯片封装结构，其包括承载器与芯片。芯片配置于承载器上且电性连接至承载器，且芯片包括基底、线路单元与电容元件。基底具有彼此相对的第一表面与第二表面，且第一表面面向承载器。线路单元配置于基底的第一表面上，且线路单元电性连接至承载器。电容元件配置于基底内，且电容元件包括两个电极部与介电部。这些电极部由基底的第二表面延伸至基底内部，且这些电极部电性连接至线路单元，而介电部配置于这些电极部之间。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A绘示本实用新型实施例的一种晶片结构的俯视示意图。

图1B绘示图1A的晶片结构沿着线I-I’的剖面示意图。

图2绘示本实用新型实施例的另一种晶片结构的俯视示意图。

图3A至图3E绘示本实用新型实施例的晶片制造流程示意图。

图4A绘示本实用新型实施例的一种晶片结构的俯视示意图。

图4B绘示图4A的晶片结构沿着线II-II’的剖面示意图。

图5绘示本实用新型实施例的一种晶片结构的俯视示意图。

图6A至图6E绘示本实用新型实施例的晶片制造流程示意图。

【主要元件符号说明】

10、40：沟槽

20、60：金属层

50：通孔

100、100’、300、300’：晶片结构

110、310：基底

112、114、126、128、312、314、328：表面

120、320：线路单元

122、322：电源线路

124、324：接地线路

130、130’、330、330’：电容元件

132、332：电极部

134、334：介电部

340：电性连接结构

342：导电通孔

344：连接线

D：深度

具体实施方式

图1A绘示本实用新型第一实施例的一种晶片结构的俯视示意图，图1B绘示图1A的晶片结构沿着线I-I’的剖面示意图。本实用新型的晶片结构100包括基底110、多个线路单元120与多个电容元件130。基底110具有彼此相对的两个表面112与114。线路单元120配置于基底1 10的表面112上，且电容元件130配置于基底110内。