[实用新型]等离子平板显示器驱动芯片结构无效
| 申请号： | 200720046401.6 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN201130665Y | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李海松;吴虹;孙伟锋;易扬波;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 平板 显示器 驱动 芯片 结构 | ||
1、一种等离子平板显示器驱动芯片结构，包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有N型外延层(8)，在N型外延层(8)上设有高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)，其特征在于在P型衬底(1)与N型外延层(8)之间设有N型重掺杂埋层(5)且高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)、高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)及低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)位于N型重掺杂埋层(5)的上方，在高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)与高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)之间设有第一沟槽(61)，在高压-N型横向金属氧化物半导体管(3)与低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)之间设有第二沟槽(62)，在第一沟槽(61)及第二沟槽(62)内填充有二氧化硅(6A)，所述的第一沟槽(61)及第二沟槽(62)始自P型衬底(1)、穿过延伸N型重掺杂埋层(5)、进入N型外延层(8)并止于上述半导体管的氧化层(7)。
2、根据权利要求1所述的等离子平板显示器驱动芯片结构，其特征在于在高压-P型横向金属氧化物半导体管(2)的外测设有第三沟槽(63)，在第三沟槽(63)内填充有二氧化硅(6A)，所述第三沟槽(63)始自P型衬底(1)，并穿过延伸N型重掺杂埋层(5)至上述半导体管的氧化层(7)。
3、根据权利要求1或2所述的等离子平板显示器驱动芯片结构，其特征在于在低压-互补型横向金属氧化物半导体管(4)的外侧设有第四沟槽(64)，在第四沟槽(64)内填充有二氧化硅(6A)，所述第四沟槽(64)始自P型衬底(1)，并穿过延伸N型埋层(5)至上述半导体管的氧化层(7)。
4、根据权利要求3所述的等离子平板显示器驱动芯片结构，其特征在于在第一沟槽(61)、第二沟槽(62)、第三沟槽(63)或第四沟槽(64)中填充的二氧化硅(6A)设有多晶硅层(6B)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
