[实用新型]低阻单晶寿命测试仪

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种寿命测试仪，特别涉及一种可调节被测样品与金属电极之间接触状态的低阻单晶寿命测试仪。

背景技术

目前国产寿命仪都是采用高频光电导衰退法，使用时单晶放在测量电极上，一般依靠单晶自身重力，少数情况下会在较轻的单晶顶端放置重物(如砝码)增加单晶对电极的压力，单晶测试面与金属电极间的接触压力及面积都不能连续调节。目前现有的单晶寿命测试仪只能测晶块，并且测量时，直接放置单晶块于电极上，无法调节单晶块与电极的接触状态(如极间电容、接触电阻)，灵敏度受到很大限制，一般只能测量电阻率大于1Ω·cm以上的硅单晶寿命。

随着半导体器件的发展，要求寿命测试仪能测更低电阻率的硅、锗单晶寿命。现在太阳能电池使用的硅片电阻率已低至0.5Ω·cm，锗片电阻率低至0.03Ω·cm。但目前国产高频光电导衰退法的寿命仪不能测量低于0.3Ω·cm的单晶寿命。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足之处，本实用新型的目的在于提供一种低阻单晶寿命测试仪。该测试仪设计了一种可以使电极上的金属片与单晶测试面的接触面积及压力可连续调节的样品测试台。通过改变接触面积及压力，调节电极与样品之间的等效电容及电阻，在测量低阻单晶时，通过这种极间电容、电阻的微调使末级高频输出回路达到最佳的谐振状态，从而使信噪比提高数十倍至数百倍，实现了可测≥0.1Ω·cm硅片、≥0.03Ω·cm锗片寿命的目的。

本实用新型通过下述技术方案实现：一种低阻单晶寿命测试仪，包括样品测试台、主机和示波器，所述主机包括高频源、红外发光管、取样器、检波器和宽频放大器，其特征在于，所述样品测试台设置于主机的上面，主机与示波器连接，所述样品测试台包括样品测试台底座、测试台支柱、光源电极台、样品台和样品台悬臂，所述样品台为可升降的样品台，所述样品测试台底座上设有光源电极台和测试台支柱，所述测试台支柱底部设置有防滑套，测试台支柱上部设置有样品台悬臂，测试台支柱与样品台悬臂通过锁紧螺栓锁定，样品台悬臂与样品台连接，所述样品台悬臂侧部依次设有阻力调节旋钮、粗调手轮和微调手轮，样品台中间设有样品测量口，所述光源电极台中设有两弹性电极，两弹性电极中间为红外发光管出光口。

为了更好地实现本实用新型，所述弹性电极的形状为V型、U型或S型等。

所述的防滑套上设有防滑套锁紧螺栓。

所述样品台采用塑料或金属制成；其厚度为1.0～3.0mm。所述样品台上设有样品盖。

所述样品盖厚度为2～8mm。

所述样品测量口的大小不小于20×40mm。

本实用新型用于硅、锗单晶非平衡少数载流子寿命测试。该低阻单晶寿命测试台可测薄片也可测晶锭，可测硅、锗两种晶体。

本实用新型与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：本实用新型可以通过旋转粗调、细调手轮升降样品台，从而细致地调节单晶样品测试面与弹性电极的接触状态(面积、压力等)，从而改变输出电路中的参数(如电阻、电容)，在单晶电阻率较低时会出现最佳的谐振状态，从而极大地提高了信噪比，使信噪比提高数十倍至数百倍，可测定低阻单晶寿命值，实现了可测≥0.1Ω·cm、硅片≥0.03Ω·cm锗片寿命的目的。本实用新型是一种可以测量电阻率低至0.03Ω·cm的锗单晶少子寿命的专用测试仪，同样可以用来测量低阻硅单晶少子寿命。

附图说明

图1为本实用新型的低阻单晶寿命测试仪结构示意图。

图2为阻力调节旋钮、粗调手轮和微调手轮的左视图。

图3为本实用新型的低阻单晶寿命测试仪电路示意图。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例1