[实用新型]改进型软研磨垫

说明书

技术领域

本实用新型涉及化学机械研磨装置，尤其涉及一种软研磨垫。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polish，CMP)是半导体器件制造过程中的一道重要制程，由专用的化学机械研磨机台完成，主要用于芯片表面的平坦化处理和芯片清洗。

于化学机械研磨制程中，需要使用软研磨垫。采用软研磨垫配合水研磨，可以去除芯片表面的研磨液结晶，配合研磨液应用时可以去除一定程度的硅、氧化硅和金属钨，并且软研磨垫在钨制程应用中配合研磨液使用具有很好的选择比(对氧化硅的研磨速率比对金属钨的研磨速率快)，从而优化了芯片内部电路的连线。

软研磨垫在应用时需要被粘贴在机台的研磨平台上，然后研磨头压住芯片在其上面进行研磨。软研磨垫表面具有大小相同、均匀分布的凸起的方格压纹，在研磨一定数量的芯片后，其上的压纹会被磨薄甚至磨没，因此需要定期更换新的软研磨垫。在更换过程中，由于软研磨垫材质软，粘贴面积大，容易在粘贴层出现大量的气泡，一些较大的气泡会在研磨过程中被研磨头磨破，磨破的研磨垫会增加芯片表面的颗粒，甚至会划伤芯片，严重的还会导致芯片破裂。

因此，需要一种可防止粘贴层出现大量气泡的软研磨垫结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改进型的软研磨垫，以防止更换研磨垫时在粘贴层出现大量的气泡，从而避免芯片划伤、芯片破裂等问题的发生。

为了达到上述的目的，本实用新型提供一种改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻方格压纹之间存在一定的间距，其中，所述的软研磨垫上还开设有数个孔洞，且每两个孔洞之间间隔1～200个方格压纹。

在上述的改进型软研磨垫中，较佳地，每两个孔洞之间间隔10～30个方格压纹。

在上述的改进型软研磨垫中，每个孔洞均开设在某一方格压纹内，且孔洞的大小小于该方格压纹的大小，但不小于1mm²。

在上述的改进型软研磨垫中，所述的软研磨垫上还开设有一窗口，所述的窗口是矩形的，其边长介于1到100个方格压纹的宽度。

本实用新型的改进型软研磨垫，根据需要在软研磨垫上间隔一定距离，切割出一定数量的孔洞，避免更换软研磨垫时，在粘贴层产生气泡，保证软研磨垫粘贴在研磨平台上后拥有很好的平整度，从而提升芯片的研磨质量，避免微擦痕。此外，通过在软研磨垫中心位置开设窗口，还可实现某些制程终点侦测技术的应用，便于镭射光线通过窗口照射到研磨中芯片的表面。

附图说明

本实用新型的改进型软研磨垫由以下的实施例及附图给出。

图1为本实用新型一具体实施例的软研磨垫的局部示意图；

图2为软研磨垫上孔洞的形状及大小示意图；

图3为软研磨垫上开设窗口的示意图。

具体实施方式

以下将对本实用新型的改进型软研磨垫作进一步的详细描述。

本实用新型的改进型软研磨垫，其表面具有大小相等、均匀分布的凸起的方格压纹，相邻压纹之间存在一定的间距，为了防止在粘贴层产生气泡，在软研磨垫上间隔一定距离开设一个孔洞，以便通气。软研磨垫上孔洞的密度可以根据需要来确定，但是孔洞过于稀疏无法达到去除气泡的效果，过于致密将影响芯片研磨工艺，因此，每两个孔洞相距10～30个方格压纹为最佳，当然，每两个孔洞之间也可相距1～200个方格压纹。

图1为本实用新型一具体实施例的软研磨垫的局部示意图。如图1所示，软研磨垫1表面均匀排列着凸起的方格压纹2，按照现有的标准，方格压纹2的规格是3.81*3.81mm²，于本实施例中，每间隔4个方格压纹2开设一个孔洞3，每个孔洞3均位于某一方格压纹2内，且孔洞3的大小小于方格压纹2的大小。图1所示的孔洞3是圆形的，于本实用新型的其他实施例中，也可采用其他规则或者不规则形状的孔洞3，只要能够达到透气的效果即可。

图2给出了一些不同形状的孔洞3结构，包括方形、圆形、三角形、椭圆形等，所有的孔洞3a-3d均开设在方格压纹2内。这些孔洞3a-3d应当大小适中，孔洞太小不方便通气，孔洞太大会将方格压纹2的边缘割裂，导致芯片微划伤。针对不同的孔洞形状，孔洞大小应当分别满足：方形孔洞3a的边长大于等于1mm，小于方格压纹2的边长(3.81mm)；圆形孔洞3b的直径大于等于1mm，小于方格压纹2的边长(3.81mm)；三角形孔洞3c的底边和高均落在1～3.81mm的范围；椭圆形孔洞3d的两条轴长也应满足1～3.81mm的范围。

除了在软研磨垫1上开设孔洞3外，为了配合某些制程终点侦测技术的应用，还可将软研磨垫1上相邻的多个压纹2一起切掉，形成一个适当大小的窗口4，以便使镭射光线全部透过窗口4照射到研磨中芯片的表面上。窗口4一般开设在软研磨垫1的中心附近，通常为矩形(如图3所示)，窗口4的大小可根据研磨平台上出射镭射光线的透明窗口的大小设定，其边长的范围可以是1～100个方格压纹2的宽度。