[实用新型]薄膜应力测量装置无效
申请号: | 200720068607.9 | 申请日: | 2007-04-03 |
公开(公告)号: | CN201043921Y | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 申雁鸣;袁磊;邵淑英;范正修;贺洪波;易葵;邵建达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G01L1/00 | 分类号: | G01L1/00;G01B11/255 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 应力 测量 装置 | ||
技术领域
本实用新型与薄膜相关,是一种简便快捷的高精度的薄膜应力测量装置。
技术背景
薄膜应力是薄膜的一个重要力学参数,几乎所有薄膜都处在某种应力状态之中,如果压应力过大会使薄膜起皱,张应力过大会使薄膜开裂,应力的存在对各种微电子电路、薄膜电子元器件、薄膜光学元器件及薄膜磁介质的成品率、稳定性、可靠性以及使用寿命等都有极其不利的影响。在强激光系统中,应力引起的基底变形不仅引起光学性能和机械性能的改变,更重要的是薄膜在激光辐照下,由于预应力的存在,加速了薄膜的热力耦合作用,使其成为薄膜破坏的敏感因素。迄今为止由于对薄膜应力的了解还不够深入,所以用一种有效的薄膜应力测量装置来研究薄膜应力就极其重要。目前测量薄膜应力的方法主要用干涉仪和台阶仪测量,但这些仪器结构复杂,价格比较昂贵,且台阶仪是接触式测量,对于镀有较软薄膜的基片有不利的影响。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种薄膜应力测量装置,该装置应具有结构简单、测量精度高、操作简便、非接触式测量、价格低廉等特点。
本实用新型的技术解决方案如下:
一种薄膜应力测量装置,该装置包括激光器、供待测基片设置的精密电动导轨及其控制器、光电位敏探测器、A/D数据采集卡和计算机,所述的激光器、精密电动导轨、光电位敏探测器和A/D数据采集卡安装在一平台上,所述的激光器发出的光束照射到待测基片表面,在待测基片的反射光束方向是光电位敏探测器,该光电位敏探测器的输出端经所述的A/D数据采集卡与所述的计算机的输入端相连。
所述的激光器为He-Ne激光器。
所述的A/D数据采集卡至少具有双通道,一个用于光强信号通道,另一个用于位置信号通道。
所述的计算机具有数据采集和处理程序。
所述的平台为充气防震光学平台。
利用所述的薄膜应力测量装置进行薄膜应力测量的方法,其特征在于包括下列步骤:
①将未镀膜的基片放在精密电动导轨上,启动计算机和控制器,然后在计算机的控制程序界面上设定基片移动的位移x和反射光光程L;
②点击“开始”按钮,根据界面上显示的位置信号值调整光电位敏探测器的位置,使初始位置信号为零,调整好后点击“停止”按钮,暂时停止采集信息;
③操作控制器控制精密电动导轨移动,使基片产生位移x,点击“开始”按钮开始采集数据,得光强信号∑I0和位置信号ΔI0,计算出偏转位移D0和镀膜前基片的曲率半径R0均被显示在程序界面上:偏转位移D0=αΔI0/∑I0,镀膜前基片的曲率半径R0为:
然后点击“停止”按钮,停止采集数据,点击“退出”按钮退出程序;
④基片镀过膜后,重复以上①②③步骤,操作控制器控制精密电动导轨移动,使基片产生位移x,点击“开始”按钮开始采集数据,获得光强信号∑I和位置信号ΔI,偏转位移D=αΔI/∑I,镀膜后基片的曲率半径
⑤薄膜应力计算,在界面上输入待测基片的弹性模量EX、泊松比γx、基片厚度ts、薄膜厚度tf、镀膜前R0及镀膜后R等参数,点击“计算”按钮,利用下列公式计算薄膜应力值:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所,未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720068607.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:模糊自动离合器
- 下一篇:一种木塑复合材料及其制品