[实用新型]大功率白光发光二极管及其芯片无效

专利信息
申请号: 200720072582.X 申请日: 2007-07-18
公开(公告)号: CN201069780Y 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 孟世界 申请(专利权)人: 宁波安迪光电科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所 代理人: 翟羽
地址: 315400浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 大功率 白光 发光二极管 及其 芯片
【权利要求书】:

1.一种大功率白光发光二极管,包括一基座、设置于所述基座内的至少一个芯片和荧光粉,其中,所述芯片包括衬底和发光体,其特征在于:所述芯片为垂直出光型芯片,所述衬底具有一凹槽,所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上,所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。

2.如权利要求1所述的大功率白光发光二极管,其特征在于:所述荧光粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐。

3.如权利要求1或2所述的大功率白光发光二极管,其特征在于:所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当,使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。

4.如权利要求1所述的大功率白光发光二极管,其特征在于:所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁。

5.如权利要求1所述的大功率白光发光二极管,其特征在于:所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置。

6.如权利要求4或5所述的大功率白光发光二极管,其特征在于:所述接触面上设有一反射层。

7.一种大功率白光发光二极管芯片,包括衬底和发光体,其特征在于:所述芯片为垂直出光型芯片,所述衬底具有一凹槽,所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上,所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。

8.如权利要求7所述的大功率白光发光二极管芯片,其特征在于:所述荧光粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐。

9.如权利要求7所述的大功率白光发光二极管芯片,其特征在于:所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当,使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。

10.如权利要求7-9中任一项所述的大功率白光发光二极管芯片,其特征在于:所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁或者所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置,所述接触面上设有一反射层。

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