[实用新型]大功率白光发光二极管及其芯片无效
申请号: | 200720072582.X | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN201069780Y | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 孟世界 | 申请(专利权)人: | 宁波安迪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 315400浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 白光 发光二极管 及其 芯片 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及发光二极管技术领域,更确切地说,涉及一种大功率白光发光二极管的封装结构及其芯片。
【背景技术】
发光二极管(LED)是一种将电能转化为可见光的发光器件,具有工作电压低、耗电量小,发光效率高,发光响应时间短,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成本低等一系列特性,尤其是大功率二极管的问世,被荣誉为21世纪可以取代日光灯照明的新型光源。
如图1所示,现有的大功率白光发光二极管封装时通常将发光二极管芯片1通过胶固定在基座上设置的凹陷部内,然后在发光二极管芯片1上面覆盖荧光粉层2。然而,通过这种方式封装的发光二极管由于荧光粉层2大致呈蘑菇状,厚度不均匀,导致大功率白光发光二极管发出的白色光一致性比较差,从而使发光二极管所发出的光不均匀,而参杂有其它颜色的色斑。
【实用新型内容】
本实用新型所要解决的技术问题是克服上述现有技术的不足,提供了一种发光均匀的大功率白光发光二极管及其芯片。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种大功率白光发光二极管,包括一基座、设置于所述基座内的至少一个芯片和荧光粉,其中,所述芯片包括衬底和发光体,所述芯片为垂直出光型芯片,所述衬底具有一凹槽,所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上,所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。
所述荧光粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐。
所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当,使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。
所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁。
所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置。
所述接触面上有一反射层。
一种大功率白光发光二极管芯片,包括衬底和发光体,其特征在于:所述芯片为垂直出光型芯片,所述衬底具有一凹槽,所述发光体收容于所述凹槽内并固定在所述凹槽的底面上,所述发光体的出光面与所述凹槽的内壁围合成一收容所述荧光粉的荧光粉收容空间。
所述荧光粉填充满所述荧光粉收容空间后形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐。
所述发光体的宽度与所述凹槽的宽度相当,使得发光体侧壁与凹槽的内壁紧贴。
所述荧光粉与凹槽内壁的接触面平行于所述发光体侧壁或者所述荧光粉与凹槽内壁的接触面与所述与凹槽的内壁以一定的倾斜角度设置,所述接触面上有一反射层。
与现有技术相比,本实用新型通过对大功率白光发光二极管的芯片的结构进行改进,在芯片的出光面的上方形成一凹槽,把荧光粉填满所述的凹槽并使形成的荧光粉层上表面与所述衬底上端面平齐,使大功率白光发光二极管内的荧光粉层封装后具有较好的均匀性,从而使得大功率白光发光二极管发出的白色光具有较好的一致性,进而大幅度提高了大功率白光发光二极管所发出光的均匀性。
【附图说明】
图1为现有发光二极管封装结构中荧光粉分布示意图。
图2是本实用新型大功率白光发光二极管的局部剖面示意图。
图3是本实用新型第一实施例大功率白光发光二极管芯片在没有填充荧光粉时的剖面示意图。
图4是本实用新型第一实施例大功率白光发光二极管芯片在填充荧光粉后的剖面示意图。
图5是本实用新型第二实施例大功率白光发光二极管芯片在没有填充荧光粉时的剖面示意图。
图6是本实用新型第二实施例大功率白光发光二极管芯片在填充荧光粉后的剖面示意图。
【具体实施方式】
实施例一
请一并参阅图2、图3和图4所示,本实施例所揭示的大功率白光发光二极管8包括具有一凹陷部的基座1、设置于基座1凹陷部内的至少一芯片2和荧光粉3,其中,所述芯片电极(未示出)经引线与发光二极管的电极(未示出)电性连接。
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