[实用新型]一种芯片保护环

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种芯片保护环，尤其涉及一种在芯片制造领域内的芯片保护环。

背景技术

晶圆(wafer)在做好之后，都要经过切割(diesaw)将晶圆切成一个个小的芯片，但是在切割的过程中切割刀的应力会对芯片边缘造成伤害，即会导致芯片产生崩边(peeling)的风险，这个时候通常的做法是在芯片的周围额外做一个保护环(cell ring)，保护环通常由金属做成。随着芯片进入铜制程，尺寸越来越小，介电层采用低介电常数(K)的材料，厚度也很薄，产生崩边的概率更高，这样的传统的保护环对芯片的保护力度就显得远远不够了。

传统的芯片保护环，为了制作方便，常常将通孔(via)有规则的排列在保护环上，如图1所示，其中芯片保护环(cell ring)2位于芯片边缘1和cell(晶圆的填充层)3之间，由于原有的保护环中的通孔排列很有规律，这样在晶圆做好后进行切割时，切割刀的应力就会很容易的通过通孔的间隙，对芯片造成损坏，此时保护环就很难起到保护芯片的作用。

从图2中也可以清楚地看到，金属铜102是制作通孔的主要材料，保护环为低介电常数，其主要材料为铝101，但是因为通孔5的排列有规律，所以很难抵挡切割刀的应力4，不能很好的起到保护芯片的功能，在实际的切割过程中，还会出现切割刀的应力损坏芯片的例子

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于提供了一种新的芯片保护环，能有效的保护芯片。

为克服现有技术的不足，本实用新型所采用的技术方案为：

一种芯片保护环，上面置有通孔，该通孔在水平方向上交错排列，在竖直方向上也交错排列。

通孔的排列在水平方向和竖直方向上均为第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列通孔分别比第一列的通孔的位置低一个通孔的直径，后面的排列按照前两列的规则依次排列。    

通孔的排列在竖直方向和水平方向上均为第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列分别比第一列通孔的位置低一个通孔的半径，第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一个通孔的半径，后面的排列分别按照前三列的规则依次排列。

通孔在竖直方向，第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列通孔分别比第一列的通孔的位置低一个通孔的直径，后面的排列按照前两列的规则依次排列；在水平方向上第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列分别比第一列通孔的位置低一个通孔的半径，第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一个通孔的半径，后面的排列分别按照前三列的规则依次排列。

通孔在竖直方向，第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列分别比第一列通孔的位置低一个通孔的半径，第三列通孔的位置比第二列通孔的位置低一个通孔的半径，后面的排列分别按照前三列的规则依次排列，在水平方向上，第一列通孔按照两个通孔边缘最大距离为该通孔的直径的标准排列，第二列通孔分别比第一列的通孔的位置低一个通孔的直径，后面的排列按照前两列的规则依次排列。

其中通孔形状可以是圆或者椭圆或者四边形或者多边形或者三角形，也可以是其它的形状。

本实用新型由于采用了通孔错排形式，交叉排列，保护环更能有效的抵挡切割刀的应力，保护芯片。

附图说明

图1为原有芯片保护环的结构俯视图；

图2为原有芯片保护环的结构截面图；

图3为改进后芯片保护环的结构俯视图；

图4为图3中201处的截面图；

图5为图3中202处的截面图。

具体实施方式

本实用新型设计了一种新的芯片保护环，是在原有的保护环2上作了相应的改进，如图3所示，金属通孔5在保护环内水平方向或者竖直方向上均交错排列，如：

通孔5在水平方向和竖直方向上均为，第一列通孔5按照两个通孔5边缘最大距离为该通孔5的直径的标准排列，第二列通孔5分别比第一列的通孔5的位置低一个通孔5的直径，后面的排列按照前两列的规则依次排列。

通孔5在在竖直方向和水平方向上均为，第一列通孔5按照两个通孔5边缘最大距离为该通孔5的直径的标准排列，第二列分别比第一列通孔5的位置低一个通孔5的半径，第三列通孔5的位置比第二列通孔5的位置低一个通孔5的半径，后面的排列分别按照前三列的规则依次排列。