[实用新型]低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤

权利要求书

1.低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，包括裸玻璃光纤(11)以及包围在所述裸玻璃光纤外周的树脂保护层(12、13)，其特征是所述裸玻璃光纤(11)由一个芯层区和三个包层区(113、114、115)组成，且芯层区由折射率较低的凹陷区(111)和折射率较高的非凹陷区(112)组成，第一包层区(113)和第三包层区(115)为纯SiO₂层。

2.根据权利要求1所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是所述芯层区和三个包层区的折射率剖面都是阶梯型剖面。

3.根据权利要求1或2所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是芯层凹陷区厚度在0.9～2.1μm之间；芯层非凹陷区厚度即在0.6～2.3μm之间；第一包层厚度在0.8～2.3μm之间；第二包层厚度在0.76～1.78μm之间；第三包层厚度在57.2～58.8μm之间。

4.根据权利要求3所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是芯层非凹陷区直径(a)在6.19～6.61μm之间，第一包层直径(c1)在7.15 ～7.65μm之间，第二包层直径(c2)在8.96～9.60μm之间，第三包层直径(c3)在124.00～126.00μm之间。

5.根据权利要求4所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是有效面积(A_eff)大于80μm²。

6.根据权利要求3所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是芯层凹陷区直径(a0)在3.85～4.15μm之间，芯层非凹陷区直径(a)在5.22～5.58μm之间，第一包层直径(c1)在5.98～6.42μm之间，第二包层直径(c2)在7.72～8.28μm之间，第三包层之间(c3)在124.26～125.92μm之间。

7.根据权利要求6所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是在1550nm下的模场直径(MFD₁₅₅₀)为8.30～8.50μm。

8.根据权利要求3所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是芯层凹陷区直径(a0)在1.92～2.08μm之间，芯层非凹陷区直径(a)在5.44～5.76μm之间，第一包层直径(c1)在6.40～6.80μm之间，第二包层直径(c2)在8.80～9.36μm之间，第三包层之间(c3)在124.31～125.94μm之间。

9.根据权利要求8所述的低弯曲损耗、低非线性效应的单模光纤，其特征是有效面积(A_eff)大于65μm²；在1550nm下的模场直径(MFD₁₅₅₀)为9.70～9.90μm。