[实用新型]为破坏晶圆表面电路的去除设备

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种破坏晶圆表面电路布局的技术领域，具体而言系指一种仅破坏电路、且不伤及硅基板的去除设备。

【背景技术】

按，由于硅基板(Silicon Substrate)具有极佳的绝缘性与应变性，因此其被广泛的应用于半导体与太阳能光电之制程上，做为承载用之基板，而受到能源的短缺，使硅基板的价格日益高涨，由于一般用于半导体制程的硅基板，为了符合其制程设备及多道重复溅镀、蚀刻的制程，其外缘被要求为圆盘状，外径需为8寸或12寸，且厚度需达725um+/-25um，而用于太阳能光电制程的硅基板的外缘形状与尺寸规格较不受限制，且其所需的厚度仅约300um即可，因此太阳能光电厂为了降低成本，通常系收购半导体厂在制程中所产生的不良品或破片，而在去除硅基板表面金属层后，再重新加工用于太阳能板上；

然现有半导体厂在考虑不良品之晶圆表面上，已形成完整的电路布局(Pattern)，为了避免泄露客户的Know-How与知识产权，因此一般通常会先将不良品予以打碎，再回炉重新磊晶形成硅基板，如此对半导体厂出售破碎晶圆的价格极低，且对太阳能厂而言，其更需要重新磊晶，而增加处理的时间、流程与成本；

因此如能将半导体厂所产生的不良晶圆完整的出售，则不仅极大提高其售价、增加半导体厂的收入，且也可以减少后续处理的程序与不便，进而提升其经济效益，然欲完整出售不良晶圆前，需先克服如何去除晶圆表面电路的问题，且在去除电路的过程中不能伤及硅基板，以降低再生过程中的破片率，然现有具体公开使用之设备及数据中，从未教示一种可满足前述去除晶圆电路要求的方法，因此如能解决此一问题，则可提升处理不良晶圆的价值。

【实用新型内容】

本实用新型之主要目的在于提供一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，可于半导体厂直接去除晶圆表面之电路，防止泄露客户机密，并可提高硅基板回收的经济价值。

本实用新型是这样实现的，为破坏晶圆表面电路的去除设备，包含有：

一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向；

一输送装置，其设于去除装置内，供将晶圆加载与移出去除装置内部，且输送装置穿设于去除装置的喷砂单元与抽风单元之间；

一入料装置，其设于输送装置的入料端；

一出料装置，其设于输送装置的出料端。

该去除设备组装于可移式载具上。

该去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

另外，本实用新型结构也可以这样实现，为破坏晶圆表面电路的去除设备，包含有：一去除装置，其于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，又去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向，而晶圆可承载于喷砂单元与抽风单元间。

该去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。

本实用新型前述技术手段的具体展现，让本实用新型可利用间接喷砂之特殊设计，使其可直接于晶圆厂进行破坏晶圆表面电路布局的工作，以防止晶圆电路布局外泄，同时可避免伤及硅基板，让晶圆硅基板可再生做为量测晶圆或太阳能板之硅基板，而能增加其附加价值，进而提升其回收的经济效益。

【附图说明】

图1是本实用新型去除设备之示意图。

图2是本实用新型去除设备之去除单元示意图。

图3是本实用新型去除晶圆表面电路之动作示意图。

图4是本实用新型去除晶圆表面电路后之示意图。

主要组件符号说明：

10去除装置    11喷砂单元

12抽风单元    15集尘单元

20输送装置    30入料装置

40出料装置    50晶圆

51硅基板      52薄膜

55金属电路    56去电路层

【具体实施方式】

本实用新型系一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，请参看图1所揭示，其系本实用新型之结构图，本实用新型系可供组装于可移式载具上，如一般货柜车或推车等，供于各半导体厂间移动回收晶圆，而本实用新型去除设备主要包含有一去除装置10、一输送装置20、一入料装置30及一出料装置40；其中：