[实用新型]载盘的改良结构无效
申请号: | 200720125504.1 | 申请日: | 2007-08-17 |
公开(公告)号: | CN201142322Y | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 刘相贤;刘奎江;刘聪德;江丰全 | 申请(专利权)人: | 力鼎精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/458;C23C14/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改良 结构 | ||
1.一种载盘的改良结构,其特征在于,包括:
一上盖,具有一内凹区与一螺旋状凸肋组,该螺旋状凸肋组设置于该内凹区中;
一下盖,具有一顶面与一侧面,该顶面连接于该螺旋状凸肋组的多个凸肋顶部,而该侧面连接于该内凹区的一侧壁;
一冷却流道,设置于该内凹区、该螺旋状凸肋组、与该顶面所围成的封闭空间中;以及
多个流道出入口,连接于该冷却流道,而其中一冷却流体经由所述的流道出入口进出该冷却流道,以形成一连续冷却流。
2.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该下盖为铝合金或不锈钢所制成。
3.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该上盖为铝合金或不锈钢所制成。
4.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该顶面热连接于所述的凸肋顶部。
5.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该侧面具有一密封层,而该密封层设置于该侧面与该内凹区之间。
6.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该冷却流体为去离子水或具冷却效果的流体。
7.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,所述的流道出入口连接于该下盖。
8.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该载盘上承载一晶圆,而该冷却流体冷却该晶圆。
9.如权利要求1所述的载盘改良结构,其特征在于,该螺旋状凸肋组具有螺旋状的几何外形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力鼎精密股份有限公司,未经力鼎精密股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720125504.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造