[实用新型]结构改良的发光二极管有效
| 申请号： | 200720125557.3 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN201126162Y | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 吴庆辉;吴志贤 | 申请（专利权）人： | 东贝光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V21/00 | 分类号： | F21V21/00;F21V9/08;F21V19/00;F21V5/04;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 改良 发光二极管 | ||
1.一种结构改良的发光二极管，其特征在于，包括：
一承载架，该承载架形成一凹陷部；
至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及
一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间为真空。
2.如权利要求1所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该荧光层上方进一步结合一透光层。
3.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为光学透镜。
4.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为透光胶体，而该透光胶体为环氧树脂、聚肽酰胺、硅胶中的任一种。
5.如权利要求2所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为玻璃。
6.一种结构改良的发光二极管，其特征在于，包括：
一承载架，该承载架形成一凹陷部；
至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及
一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间充填有惰性气体。
7.如权利要求6所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该荧光层上方进一步结合一透光层。
8.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为光学透镜。
9.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为透光胶体，该透光胶体为环氧树脂、聚肽酰胺、硅胶中的任一种。
10.如权利要求7所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该透光层为玻璃。
11.如权利要求6所述的结构改良的发光二极管，其特征在于，该惰性气体为氮、氦、氖、氩、氪、氙、氡中的任一种气体。
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