[实用新型]结构改良的发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免降低激发荧光粉的效率，或避免造成色衰，以及避免因空气而易造成该至少一发光芯片氧化与因氧化造成温度提高而降低整体的发光效率等问题，进而可提高发光二极管的发光效率与使用寿命，而适用于发光二极管或类似结构。

背景技术

现有的发光二极管结构，如图5所示，主要包括有一具凹陷槽的承载架A、一芯片B及一透光层D，该芯片B结合于承载架A的凹陷槽之中，该芯片B的外层被一层荧光粉层C所包覆，而该透光层D为透明胶体，以灌入承载架A的凹陷槽之中而包覆于该荧光粉层C外，因荧光粉层C与芯片B直接接触，以使芯片B发出的光线未被中间的介质吸收，而可得到较佳的发光效率，但因芯片B发光会生热，造成该荧光粉层C过热而使发光二极管产生色衰，减少了发光二极管的使用寿命。另一种现有的发光二极管结构，如图6所示，其与前述的差异在于该承载架A上的芯片B的上方设有一透光胶层C1，该透光胶层C1上方又结合有一透光层D1，该透光层D1可采荧光粉与透光胶混合构成(或光学透镜)，进而避免芯片B与荧光粉直接接触之因过热而造成色衰的问题，但是，因该芯片B所发出的光线会穿入该透光胶层C1中，造成有部分的光线被该透光胶层C1中的透明胶体吸收而降低激发荧光粉的效率。

发明内容

本实用新型的主要目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层位于该至少一发光芯片的上方并涵盖该至少一发光芯片的发光区，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免因该至少一发光芯片发光产生的热与该荧光层直接接触而因过热造成色衰的问题，进而可提高发光二极管的使用寿命及得到混光均匀的效果，以增进整体的实用性。

本实用新型的次一目的在于，提出一种结构改良的发光二极管，通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，且通过荧光层与该承载架之间形成有容置空间，而该容置空间可采真空或充填惰性气体，以供降低热的传导，可避免该至少一发光芯片发出的光线与空气中的氧气作用而易造成该至少一发光芯片氧化，可避免因为氧化而使温度提高而导致降低发光效率，以及可避免该至少一发光芯片发出的光线直接穿入该透光胶体(或混合荧光粉的透光胶体)而造成部份光线被吸收使激发荧光粉的效率变低，进而使发光效率降低的问题，进而提高发光二极管的发光效率与使用寿命，以增进其实用性。

为达上述目的，本实用新型提供一种结构改良的发光二极管，包括：一承载架，该承载架形成一凹陷部；至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间为真空。

为达上述目的，本实用新型还提供一种结构改良的发光二极管，包括：一承载架，该承载架形成一凹陷部；至少一发光芯片，该至少一发光芯片设于该承载架的凹陷部内；以及一荧光层，该荧光层结合于该承载架的壁缘上，且于该荧光层下方与该承载架之间形成一容置空间，该容置空间充填有惰性气体。

本实用新型具有以下有益技术效果：

1、通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，该荧光层位于该至少一发光芯片的上方并涵盖该至少一发光芯片的发光区，该荧光层与该承载架之间形成容置空间，该容置空间可采真空(或充填惰性气体)，以避免因该至少一发光芯片发光产生的热与该荧光层直接接触而因过热造成色衰的问题，进而可提高发光二极管的使用寿命及得到混光均匀的效果，以增进整体的实用性。

2、通过一承载架、至少一发光芯片及一荧光层的组合设计，且通过荧光层与该承载架之间形成有容置空间，而该容置空间可采真空或充填惰性气体，以供降低热的传导，可避免该至少一发光芯片发出的光线与空气中的氧气作用而易造成该至少一发光芯片氧化，可避免因为氧化而使温度提高而导致降低发光效率，以及可避免该至少一发光芯片发出的光线直接穿入该透光胶体(或混合荧光粉的透光胶体)而造成部份光线被吸收使激发荧光粉的效率变低，进而使发光效率降低的问题，进而提高发光二极管的发光效率与使用寿命，以增进其实用性。

本实用新型的其它特点及具体实施例可于以下配合附图的详细说明中，进一步了解。

附图说明

图1为本实用新型的第一实施例的剖面示意图；

图2为本实用新型的第一实施例的组件分解图；

图3为本实用新型的第二实施例的剖面示意图；