[实用新型]移载容器及应用于移载容器的导电结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及放光罩或晶圆等移载容器的抗静电技术，特别是涉及一种一种防止静电残留的移载容器，藉以有效导出移载容器与物件的静电，进一步降低抗静电的成本。

背景技术

近年来，受到电子产品不断地朝向轻薄短小、高频、高效能等特性发展的影响，用于电子产品中的核心晶片就必需更进一步的微小化与高效能化而欲使晶片微小化与具高效能，则需使晶片上的积体电路线径微细化，以容入更多的积体电路及元件，因此现有的积体电路线径已由早期的0.25微米往90～45纳米等制程发展，再加上晶圆尺寸已由8英寸发展到12英寸，当其发生不良品时所造成的损害更是惊人。而在半导体制程中，环境中受到各种不同因素的影响，会存在有各种微粒、水气或溶剂所释出的有害物质等，会因制程中的加热、沉积、静电或化学变化等因素附着于光罩或晶圆的表面，而直接影响到制程的良率，而为了处理这些有害物质，厂商需要增加额外的清洗或重制流程，因此会增加其营运的成本，故为了克服这个问题，一般半导体制程需在极高等级的无尘室中进行；

但受到前述积体电路微细化的影响，传统上单纯在无尘室进行的制程已渐渐无法满足进一步高洁净度的要求，因此业界开发有如美国专利第US4,532,970号与美国专利第US4,534,389号的晶圆、光罩密闭移转系统，透过各别的移载容器来放置制程中的晶圆或光罩，如此可确保无尘室环境中的微粒、水气或有害物质不致进入紧邻光罩与晶圆的环境中。

但半导体制程中，不论光罩图形制作、溅镀、黄光微影、蚀刻或光罩清洗等，其均需使用到很多的溶剂与化学品，并因受热或化学变化等在前述移载容器内部产生有害物质的微粒，而由于光罩、晶圆等物件在制程中会因强光照射、高速旋转或受热等不同的原因产生静电，当如光罩、晶圆等物件置于前述移载容器后，这些有害物质的微粒会因静电的影响，而迅速、且大量的吸附于光罩、晶圆等物件的表面，如此即会破坏光罩表面图形，而造成曝光不良的现象，再者又或因附着于晶圆表面形成短路的现象，严重影响到半导体的制程良率，因此以其中光罩为例，当光罩图形污损时，需要进行清洗的动作，甚至当污损达到一定程度时，更需要重制光罩的图形，再设备、时间与材料成本的增加下，会提高半导体厂的营运成本；

因此，为了达到抗静电的目的，塑胶制的移载容器在射出时，会在材料中添加抗静电材料，由于抗静电复合材料是在普通塑胶基材中混炼加入有导电性能的添加剂，而使材料具有导电、抗静电功能，这些典型的添加剂有碳黑、金属纤维、永久抗静电剂、纳米导电金属粉等，如聚氨酯-聚苯胺及导电碳黑的PP、PE、POM、PC/ABS、PPO等，但这样的作法不仅材料成本极高，造成移载容器制作成本的增加，且其会不断的释出如硫、氨等有害物质，而以光罩表面结晶为例，其化学式为(NH₄)₂SO₄，此一结晶物由前述不同原因释出的氨(NH₄⁺)及硫酸根离子(SO₄^2-)经高能量光源与环境水气等化合而成，因此经常发生光罩在清洗后，再经一段时间的储存后，只要一经黄光微影制程中的紫外线照射曝光就会产生结晶的现象。因此移载容器需要做进一步的处理，如加装不锈钢内罩，除了能产生静电导出的功效外，并可用以吸收塑胶材质所释出的硫化物，但无形间又再次提高了移载容器的成本。

详而言之，如能运用结构性的设计，使移载容器上的静电顺利导出，则不仅可改善前述物件表面附着微粒的问题，且无需在移载容器内添加抗静电材料，亦无需另外设置为吸收或排出抗静电材料所释出有害物质的结构，而能降低该移载容器的成本，且进一步增进移载容器内部的洁净度，可减少光罩等清洗或图形重制的时间与成本。

为了解决这个问题，曾有业者开发一种中国台湾专利公告第TWM252140号的“光罩传送盒的防静电装置”新型专利案，其是利用盖体内设有一防静电装置，该防静电装置具有一金属基座，基座具有可压掣光罩的抵持部，并在基座各角落设有利用锁固件锁掣于盖体的定位部，其中锁固件可外露接触工作平台，使得光罩、基座、定位部与锁固件形成一导电的通路机制，但受到定位件与基座的结合性不佳，以及锁固件与工作平台接触面积不稳定的双重影响，常会有导电不确实的问题发生，而影响到移载容器抗静电的效果。