[实用新型]2-3英寸砷化镓定向划线尺无效
申请号: | 200720140729.4 | 申请日: | 2007-04-03 |
公开(公告)号: | CN201048126Y | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 佟丽英;杨春明;张海林;史继祥;王聪 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 信息产业部电子专利中心 | 代理人: | 周奇 |
地址: | 300220天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 英寸 砷化镓 定向 划线 | ||
技术领域
本实用新型涉及特殊晶向的砷化镓单晶加工技术,特别是涉及一种针对直径为2-3英寸砷化镓单晶的头尾方向和晶体的砷面、镓面进行判定的定向划线尺。
背景技术
砷化镓材料应用于微波器件、砷化镓基光电器件、砷化镓基激光器以及半导体照明工程的器件等。由于砷化镓材料为III-V族化合物,是由砷原子和镓原子按一定晶格结构进行排列的,属于极性晶体,砷化镓特种器件需要在某一特定的晶格方向进行制作,才能保证其优良的性能。因此砷化镓晶片的加工过程中,是根据材料的晶格结构特性进行加工的。
<511>晶向的砷化镓广泛应用于砷化镓光电器件和微波器件,<511>晶向的砷化镓单晶不仅要分清头尾(晶片头部方向为正面、尾部方向为反面),还要分清单晶周围存在的砷面和镓面。而单晶头尾是否反向,单晶周围的砷面和镓面是我们宏观用肉眼看不到的,因此在实际加工中用主、次参考面的相对位置来确定。
实用新型内容
因此本实用新型所要解决的技术问题是提供一种特殊晶向砷化镓加工时所用的定向划线尺,本实用新型能够把砷化镓微观的晶格结构直观、准确地反映到宏观的层面上。
本实用新型具体是这样实现的:
一种2-3英寸砷化镓定向划线尺,在透明材料平板上刻有同心的Φ2英寸圆弧线和Φ3英寸圆弧线,该两条圆弧线分别用于对准2英寸或3英寸砷化镓单晶锭的外圆;在两条同心圆弧线的一条直径上刻有一条槽,并在该直径两边位置两端各刻有与其平行的条形槽,这两组三条槽一起组成主参考面划线槽,该主参考面划线槽用于确定砷化镓单晶锭的镓面;在与主参考面划线槽垂直的直径线上刻有另一条槽,为次参考面划线槽,该次参考面划线槽用于确定砷化镓单晶锭的砷面;在次参考面划线槽分割的其中一个半圆内,划有与其平行的一组平行线,该组平行线用于保证砷化镓样片上的信息移植到砷化镓单晶锭上的准确性。
按上述方案,所述主参考面划线槽中与直径平行的条形槽长度为1.18英寸。
按上述方案,所述主参考面划线槽中与直径平行的条形槽位于直径两边0.12英寸位置。
按上述方案,所述一组平行线为11条。
按上述方案,从所述划有一组平行线的半圆的一角延伸出一个手柄,该手柄作为划线尺工作中的扶持部位。
由于采用了上述方案,本实用新型与现有技术相比,具有以下优点:
1、确保产品质量
使用本实用新型可以增加对砷化镓的晶向和砷化镓的晶体的砷面、镓面进行确定的准确度。砷化镓定向划线尺中的一组平行线能够保证此移植过程的准确性,确保了产品的质量。
2、提高生产效率
使用本实用新型对砷化镓单晶进行定向和砷面、镓面进行确定,可以一次性准确地完成各种信息的传递,通过主、次参考面的位置,把砷化镓微观的晶格结构直观、准确的反映到宏观的层面上。其生产效率是原有砷化镓加工的10倍。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的实施作进一步的说明:
2-3英寸砷化镓定向划线尺是用来对晶向为<511>的砷化镓单晶的主、次参考面的方向进行确定的一种特殊工具。定向划线尺是由透明材料制成,尺上划有直径2英寸和直径3英寸的圆弧,可对2-3英寸的砷化镓单晶晶向和砷化镓的砷面、镓面的方向确定进行划线。依据<511>晶向砷化镓单晶的晶格结构特征,借助定向划线尺在砷化镓单晶上进行标记,从而将<511>晶向砷化镓单晶的晶格结构取向反映到单晶锭上。
用碱性腐蚀液对砷化镓样片腐蚀后,在200倍显微镜下观察,根据观察结果可以得出两个结论:①分清哪面是晶片的正面,哪面是晶片的反面;②根据正面微观图形形状,作一个标记“”,此标记是由一条长线和两条与之相垂直的短线构成,标记的长线方向与正面腐蚀图形的长轴方向平行。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造