[实用新型]发光二极管的结构改良无效
| 申请号： | 200720141382.5 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN201044244Y | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郑廷栋;曾文保;江新鉴 | 申请（专利权）人： | 亚帝欧光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 改良 | ||
1.一种发光二极管的结构改良，其特征在于：在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；
该光学机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。
2.一种发光二极管的结构改良，其特征在于：在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；
该光学机制由若干弧形沟槽所构成，使切割成若干曲面状的出光面。
3.一种发光二极管的结构改良，其特征在于：在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；
该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。
4.如权利要求1、2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该封装体顶面为平板状。
5.如权利要求1、2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该封装体顶面为球面状。
6.如权利要求1、2或3所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该封装体中设有若干扩散粒子。
7.一种发光二极管的结构改良，其特征在于，发光二极管的发光芯片与封装体间具有空气层，而封装体靠近空气层处设有用以产生聚光效果的光学机制。
8.如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光学机制为若干两侧角度不对等的V型沟槽。
9.如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光学机制为若干弧形沟槽。
10.如权利要求7所述发光二极管的结构改良，其特征在于，该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。
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