[实用新型]发光二极管的结构改良

说明书

技术领域

本实用新型有关一种发光二极管，尤针对发光二极管的封装体构造加以改良，进而提升整体发光二极管的亮度表现效果。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种利用电子电洞的相互结合将能量以光形式释发的半导体组件，由于属冷光发光，具有体积小、寿命长、耗电量低、反应速率快、耐震性特佳等优点，故广泛做为各种电器、信息看板、通讯产品等的发光组件。

又，一般发光二极管的基本构造，是利用金线构成发光芯片(亦即半导体芯片)与相关电路的连结，再由相关的封装材将发光芯片包覆使成为具有机械结构强度的封装体，以在发光芯片通电作用下，令发光芯片产生光源并且经由所包覆的封装体向外照射，或是由发光芯片的光源与封装材当中的效果材(例如萤光材)的波长结合，以形成预期的光色。

因此，包覆在发光芯片外部的封装体对光源的散发特性(光使用率)将足以影响整体发光二极管的亮度表现效果；换言之，若能够改善封装体的光使用率，亦可达到提升发光二极管亮度表现效果的目的。

实用新型内容

本实用新型的主要目的即在提供一种有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，进而大幅提升整体亮度表现效果的发光二极管结构。

本实用新型所采用的技术方案为：一种发光二极管的结构改良，在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干两侧角度不对等的V型沟槽所构成，使相邻的V型沟槽之间形成两个非等角度的平面出光面。

一种发光二极管的结构改良，在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制由若干弧形沟槽所构成，使切割成若干曲面状的出光面。

一种发光二极管的结构改良，在发光二极管的封装体顶面建构有用以产生聚光作用的光学机制；该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。

其中，该封装体顶面为平板状。

其中，该封装体顶面为球面状。

其中，该封装体中设有若干扩散粒子。

一种发光二极管的结构改良，发光二极管的发光芯片与封装体间具有空气层，而封装体靠近空气层处设有用以产生聚光效果的光学机制。

其中，该光学机制为若干两侧角度不对等的V型沟槽。

其中，该光学机制为若干弧形沟槽。

其中，该光学机制为若干建构在封装体表面的浮凸网点。

本实用新型的有益效果为：主要在发光二极管的封装体的顶面设有由若干沟槽或网点所构成的光学机制，透过光学机制所产生的聚光效果提高封装体的光使用效率，亦即使发光二极管内部的光源集中经由该光学机制朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，而可大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的发光二极管外观立体图；

图2为本实用新型第一实施例的发光二极管结构剖视图；

图3为本实用新型中V型沟槽的放大示意图；

图4为本实用新型第二实施例的发光二极管结构剖视图；

图5为本实用新型第三实施例的发光二极管结构剖视图；

图6为本实用新型第四实施例的发光二极管结构剖视图；

图7为本实用新型第五实施例的发光二极管结构剖视图；

图8为本实用新型第四实施例的发光二极管结构立体图；

图9为本实用新型第六实施例的发光二极管结构剖视图；

图10为本实用新型第七实施例的发光二极管结构剖视图。

【图号说明】

10发光二极管       11封装体

111光学机制        112扩散粒子

12发光芯片         13金线

14电路接脚         15空气层

具体实施方式

如图1本实用新型第一实施例的发光二极管外观立体图、图2本实用新型第一实施例的发光二极管结构剖视图所示，整个发光二极管10基本上利用金线13构成发光芯片12与相关电路接脚14的连结，再由封装材将发光芯片12包覆使成为具有机械结构强度的封装体11，令发光芯片12产生光源经由所包覆的封装体11向外照射。

重点在于：封装体11的顶面设有用以产生聚光效果的光学机制111，透过光学机制111所产生的聚光效果提高封装体11的光使用效率，使发光二极管10内部的光源集中经由该光学机制111朝特定方向发射，有效降低光源朝向左右方向扩散乱窜的现象，大幅提升整体发光二极管的亮度表现效果。