[实用新型]掩膜盒与掩膜传送盒及其支撑件有效
申请号: | 200720177504.6 | 申请日: | 2007-09-30 |
公开(公告)号: | CN201091030Y | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 王建峰 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;G03F7/20;G03F1/00;H05F3/02;B65D81/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜盒 传送 及其 支撑 | ||
技术领域
本实用新型是有关一种掩膜盒以及掩膜传送盒,特别是指其中可防止静电放电破坏的掩膜盒以及传送盒。
背景技术
近代半导体科技发展迅速,其中光学光刻技术(Optical Lithography)扮演重要的角色,只要是关于图形(pattern)定义,皆需仰赖光学光刻技术。
光学光刻技术在半导体的应用上,是将设计好的线路制作成具有特定形状可透光的掩膜(photo mask)。利用曝光原理,则光源通过掩膜投影至硅晶圆(siliconwafer)可曝光显示特定图案。由于任何附着于掩膜上的尘埃颗粒(如微粒、粉尘或有机物)都会造成投影成像的品质劣化,用于产生图形的掩膜必须保持绝对洁净,因此在一般的晶圆制程中,都提供无尘室(cleanroom)的环境以避免空气中的颗粒污染。然而,目前的无尘室也无法达到绝对无尘状态。现代的半导体制程皆利用抗污染的掩膜盒(reticle pod)进行掩膜的保存与运输,以使掩膜保持洁净。
已知的掩膜盒多以高分子材质所构成,此种高分子材质具有成型容易、价格低廉以及可形成透明体的优点。此种绝缘电阻高的高分子材质容易因为磨擦或拨离而产生静电,尤其是无尘室的作业环境需要保持较低湿度,使高分子材质的掩膜盒非常容易产生与累积电荷。此外,在使用掩膜或是将掩膜移进或是移出掩膜盒时,掩膜表面也会因摩擦而产生静电。掩膜表面的静电容易吸引空气中的污染微粒,更甚者还会造成掩膜上的金属线出现静电放电(electrostaticdischarge,ESD)效应。静电放电所产生的瞬间电流会引起电花(spark)或电弧(arc),在电花与电弧发生的同时,强大的电流伴随着高温,导致金属线的氧化与溶解,因而改变了掩膜的图案。
目前针对静电放电所解决的方法有许多,首先是改善作业环境,使空气中维持适当的湿度、作业人员穿着具接地效应的衣物或使用离子扇消除环境中的静电。但是改变作业环境的具有许多无法预测的变因,没有办法完全解决静电对掩膜的伤害。
另一种方法是改变掩膜盒组成组件的材质,美国专利号US 6,513,654提出,设置具接地功能的掩膜支撑件,在掩膜盒与配合机台接触时,掩膜支撑件可将掩膜上的电荷导出。另外美国专利号US 6,247,599提出,在掩膜盒的底盘、罩盖或提把上增设导电板,由此减少电荷的累积。然以上方法均须仰赖导电组件接地时释出电荷,但是当静电由导电组件释出时,仍会产生电流,还是会造成放电使得掩膜受到损伤。
有鉴于以上缺点,本实用新型所提供的掩膜支撑件或限制件,乃针对先前技术加以改良。
实用新型内容
基于解决上述先前技术的缺点,本实用新型所提供的掩膜盒,是将与掩膜直接接触的支撑件或限制件作材质上的改变,利用静电消散材质做为该支撑件或限制件的材料,即便静电消散材质会因为磨擦而产生电荷,但位于附近的金属材料会随即将电荷导出,避免电荷累积以及静电放电效应。
本实用新型的主要目的在于提供一种具有静电消散材质的掩膜支撑件,可减少电荷累积,并且防止静电对掩膜所造成的伤害。
本实用新型的另一目的在于提供一种具有静电消散材质的掩膜支撑件,此种材料可持续导出电荷,避免瞬间放电对掩膜产生高温伤害。
本实用新型的又一目的在于提供一种具有静电消散材质的掩膜限制件,可减少电荷累积,并且防止静电对掩膜所造成的伤害。
本实用新型的再一目的在于提供一种具有静电消散材质的掩膜限制件,此种材料可持续导出电荷,避免瞬间放电对掩膜产生高温伤害。
本实用新型提供一种掩膜盒,其特征在于,该掩膜盒包括:
一第一盖体;以及
一第二盖体,与第一盖体组合形成一内部空间,可容置至少一掩膜;
其中,该第一以及第二盖体至少其中之一具有一本体,该本体面对该内部空间的表面上设有多数个支撑件或限制件,该支撑件或限制件材质为静电消散材。
其中该静电消散材质电阻值为104-1011Ω。
其中该些支撑件及限制件为不同材质所构成。
其中该些支撑件及限制件为相同材质所构成。
其中该本体面对该内部空间的表面上设有一导电板,该支撑件设于该导电板上与该导电板电性连接。
其中该第一盖体或第二盖体为金属材质。
其中该支撑件的结构包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造