[实用新型]具有聚光结构的光感测装置无效
申请号: | 200720178367.8 | 申请日: | 2007-10-10 |
公开(公告)号: | CN201107808Y | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 黄朝钟 | 申请(专利权)人: | 黄朝钟 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L27/146;H01L27/148;H01L23/00;H01L23/02;H01L23/48;G02B3/00 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 | 代理人: | 刘俊;赵延柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 聚光 结构 光感测 装置 | ||
1.一种具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,包括:
一光感测单元,其包括一电气基板、一光感测部以及多个第一电气接点,该光感测部设置在该电气基板中且感测光讯号并将其转换为电气数据输出,该些第一电气接点设置于该电气基板上,并电气连接该光感测部;以及
一光导引单元,其包括:
多个导电支撑座,其分别为一导电的柱体结构,各个该导电支撑座具有一承接部,且各个导电支撑座分别固设于该电气基板上所对应的一对电气接点;
一透光板,其固设于该导电支撑座的承接部的一透光体结构,并至少覆盖该光感测单元的光感测部;
多个第二电气接点,其分别对应一导电支撑座的一导电体,且各个第二电气接点底部分别电气连接该导电支撑座;以及
多个分隔部,其设置于该光感测单元的电气基板上,并对应该光感测部,且该些分隔部侧面具有聚光面以及各个分隔部之间包围形成多个聚光部,该些分隔部分别对应该光感测单元的光感测部的一个或多个像素,该聚光面表面方向的垂直分量朝向该透光板;
其中该光感测部包括多个感测光讯号的像素,该些分隔部的光感测部对应该透光板的透光区域以及该光感测单元的光感测部的一个或多个像素。
2.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述透光板的材质为可透光玻璃或压克力。
3.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述透光板中进一步包括一光学层,该光学层包括一抗反射层,该抗反射层具有降低该透光板反射光讯号能量的物理特性。
4.如权利要求3所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述光学层进一步包括一滤光膜,且该滤光膜具有降低穿透该透光板的红外线光讯号能量的物理特性。
5.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述各个导电支撑座分别具有聚光面,且该导电支撑座的聚光面表面方向的垂直分量朝向所述透光板。
6.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述透光板进一步包括一光学透镜组,且该光学透镜组调节该透光板的光讯号路径为对应该光感测部。
7.如权利要求6所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述光学透镜组是由多个透镜所构成的透镜数组,该些透镜分别对应该些分隔部之间的聚光部,且各个透镜的布置以及曲率配合调节穿透过该透光板的光讯号路径至所对应的聚光部。
8.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述导电支撑座中的部分导电支撑座的位置对应该透光板的周边,且这些位置的第二电气接点沿着该透光板的侧面延伸至底部的导电支撑座,并电气连接至所述第一电气接点。
9.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述透光板进一步具有多个导通孔,该些导通孔分别贯穿该透光板,该些导电支撑座中的部分导电支撑座以及该些第二电气接点中的部分第二电气接点的位置对应该透光板的导通孔,各个导通孔分别电气连接所对应的导电支撑座与第二电气接点。
10.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述光感测单元为一互补金氧半传感器。
11.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述光感测单元为一电荷耦合传感器。
12.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述电气基板为一半导体电路基板。
13.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述电气基板为一电路板。
14.如权利要求1所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述分隔部的材质为导电金属。
15.如权利要求14所述的具有聚光结构的光感测装置,其特征在于,所述分隔部的材质与该导电支撑座材质相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的