[实用新型]侧面型发光二极管结构无效

专利信息
申请号: 200720310186.6 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN201146189Y 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 谢忠全 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/16;H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 台湾省台北县土*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 侧面 发光二极管 结构
【权利要求书】:

1.一种侧面型发光二极管结构,其特征在于,至少包含:

一底座,两对应侧分别具有一前凹槽及一后凹槽;

二导电接脚,其一端相互面对,并分别固定于该底座内,该端的一面面对该前凹槽,并显露于该前凹槽内,而该端的另一面则面对该后凹槽,并显露于该后凹槽内,其另端则分别以相反的方向伸出底座外;

至少一个发光二极管芯片,分别放置于该二导电接脚面对该前凹槽的位置,并电气连接该些导电接脚;

一电磁波防护芯片,放置于该二导电接脚面对该后凹槽的位置,并电气连接该些导电接脚;

一第一封装部,形成于该前凹槽内;

一第二封装部,形成于该后凹槽内;以及

一透镜盖,设置于该底座具有该前凹槽的一侧,而覆盖该第一封装部及该至少一发光二极管芯片。

2.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该第一封装部为硅胶封装部或环氧树脂封装部。

3.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该第二封装部为硅胶封装部或树脂封装部。

4.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该透镜盖朝外呈现出单峰突出状的一供集中发射该至少一发光二极管芯片分别所发出的光线的第一圆弧体。

5.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该透镜盖朝外呈现出双峰突出状的一供扩散地发射该至少一发光二极管芯片分别所发出的光线的第二圆弧体。

6.根据权利要求5所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该第二圆弧体的双峰间具有一凹陷部,该凹陷部于该透镜盖的外部表面分别区分出分别供该至少一发光二极管芯片所发出的光线以不同的方向发射出去的两区域。

7.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该底座为具环氧树脂的胶材底座。

8.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该至少一发光二极管芯片分别以一第一导线打线至对应的导电接脚上,并分别电气连接对应的导电接脚。

9.根据权利要求1所述的侧面型发光二极管结构,其特征在于,该电磁波防护芯片于该一导电接脚上,以一第二导线打线至另一导电接脚上,分别电气连接对应的导电接脚。

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