[发明专利]基板处理装置的控制装置及基板处理装置的控制程序

说明书

技术领域

本发明涉及按照方案来控制基板处理装置的控制装置以及控制程序。

背景技术

在现有技术中，通过等离子体的作用对基板进行成膜、蚀刻等所希望处理的基板处理装置已经是众所周知。该处理通过控制装置根据进行基板处理用的方案(以下简称“处理方案”)，控制基板处理装置来执行(例如参照专利文献1)。该处理中所使用的处理方案是按照时间序列来定义表示处理基板用的处理条件(例如：温度、气体流量、RF输出)的数据的。一个产品处理必须对应一个处理方案。

原来，由于硬件的性能，一个基板处理装置只能执行单一的处理，所以对于一个基板处理装置也只需要准备一个处理方案。因而，在处理基板前，也只需要准备一个使基板处理装置内达到最佳状态的方案(以下简称“预定方案”)来对应一个基板处理装置。

但是，近几年，由于硬件性能的提高，在一个基板处理装置上执行多种处理已经成为可能。例如：在成膜装置中，已经可以在原有的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)处理的基础上加上ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)处理进行并用。为了不让多种原料气体在到达基板之前发生反应，ALD中采用随时切换原料气体供给并且一种一种地交互供给的方式，和原有的成膜处理相比能够在较低温度下在基板上形成非常薄的膜。具体而言，对于在处理方案中所设置的温度来说，在原有的成膜处理中需要650℃左右的高温，而采用ALD的成膜处理则只需要450℃左右的低温。

从到目前为止的各种处理的实验中已经表明：像这样，在处理方案中所设定的温度根据处理的种类而大不相同时，必须将预定方案中定义的气体流量以及RF输出等数据重新设定为与处理方案的温度变化没有连续性的最佳值。而且，通过这样将预定方案的数据根据各个处理来进行优化，就能根据处理使处理基板前的基板处理装置内保持良好的状态，结果，也就可以在基板上实施最佳的等离子体处理。

[专利文献1]日本特开平第9-129529号公报

发明内容

但是，当基板处理装置中执行的处理的种类改变时，操作员必须手动地将预定方案的数据更改注册为最佳值。这样不仅需要为该注册花费相当的时间，没有效率，而且假如在注册时发生了输入错误，由于基板处理装置是按照错误输入的方案被控制的，就无法得到最佳的处理效果，也无法在基板上实施良好的等离子体处理。进而，对于今后硬件的进一步发展，为了能够适应灵活性，通过搭建自动控制基板处理装置的系统，也能够有效地提高昂贵的基板处理装置的商品价值。

因此，本发明提供能够适应各种处理，灵活地控制基板处理装置的控制装置以及控制程序。

即，为了解决上述课题，根据本发明的一些观点，提供了一种基板处理装置的控制装置，该控制装置根据包含有表示基板处理装置的控制顺序的数据的预定方案控制上述基板处理装置，根据包含有表示被处理基板的处理顺序的数据的处理方案对搬入上述基板处理装置中的被处理基板进行处理。

该控制装置包括：第一存储部，存储一个或者两个以上的处理方案；第二存储部，分别存储与各处理方案对应的多种预定方案，使得能够根据包含在上述各处理方案中的特定数据改变上述基板处理装置的控制顺序；特定部，按照在成为处理对象的一个或者两个以上被处理基板上所使用的方案的指定，从上述第一存储部中存储的多个处理方案中，特定与上述被指定的方案对应的处理方案；取得部，从包含在上述特定的处理方案中的数据中取得上述特定数据；和选择部，与上述特定的处理方案对应，从存储在上述第二存储部中的多种预定方案中选择一个与上述取得的特定数据对应的预定方案。

由此，从存储在第二存储部中的多种预定方案中选择出一个和处理方案特定的数据对应的预定方案。这样，每当基板处理装置中被执行的处理的种类改变时，不仅可以不再需要操作员手动将预定方案的数据重新注册为最佳值，变得更加有效率，而且还能防止注册时的错误输入。结果也就可以根据最佳的预定方案，将基板处理装置内保持为与处理相应的最佳状态。这样，也就能够根据处理方案，在保持良好状态的基板处理装置内对被处理基板实施最佳的处理。